[实用新型]低压降稳压器有效
申请号: | 201020687789.X | 申请日: | 2010-12-29 |
公开(公告)号: | CN201936213U | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 高彬;马岩;陆崇鑫;李宏志 | 申请(专利权)人: | 西安华芯半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 徐平;王少文 |
地址: | 710075 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低压 稳压器 | ||
技术领域
本实用新型属低压降稳压电路领域,具体涉及一种低压降稳压器。
背景技术
在低压降稳压器电路设计中,环路稳定性的是一个重要的部分。图1为现有低压降稳压器电路的结构示意图。参见图1,低压降稳压器电路10主要由误差放大器电路100,PMOS驱动管110和电阻反馈网络120构成。误差放大器电路100的正向输入端接输入参考电压Vref,误差放大器电路100的输出端接PMOS驱动管110的栅极G,,输入参考电压Vref由带隙电压基准电路产生。PMOS驱动管110漏极D的输出通过电阻反馈网络120的第一电阻R1和第二电阻R2分压后反馈到误差放大器电路100的反向输入端。在输出点Vout接有用以稳定低压降稳压器输出电压的输出电容Co。Resr为输出电容Co的等效串联电阻,Iload为电路的负载电流。
图2是图1所示的低压降稳压器电路的小信号模型图。其中Roa为误差放大器电路100的输出阻抗,Cgs为PMOS驱动管的栅源极电容,Cgd为PMOS驱动管的栅漏极电容。gmVgs为PMOS驱动管的栅源电压Vgs控制的电流源,r0为PMOS驱动管的输出阻抗。对图2所示低压降稳压器电路的小信号模型进行零极点分析可知,其输出电容Co的值一般远大于误差放大器电路100输出点上的寄生电容,所以通常这一点为输出主极点P1。输出主极点P1的角频率ωp1为:
其中:r0是稳定环路的PMOS驱动管的输出阻抗。
第二主极点P2位于误差放大器电路100的输出端,由误差放大器电路100的输出阻抗Roa,PMOS驱动管110的栅源电容Cgs与栅漏电容Cgd的并联电容得到。第二主极点P2的角频率ωp2为:
由于输出电容Co存在等效串联电阻Resr,电路会存在一个零点Z1。零点Z1的角频率ωz1为:
图3是图1所示低压降稳压器电路的幅频特性曲线图。由图3可知,零点Z1带来的90度相移抵消了第二主极点P2带来的负90度相移,由此可见,只要使稳压器的单位增益带宽小于第三主极点P3就可以使环路有较好的稳定性。
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