[实用新型]低压降稳压器有效

专利信息
申请号: 201020687789.X 申请日: 2010-12-29
公开(公告)号: CN201936213U 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 高彬;马岩;陆崇鑫;李宏志 申请(专利权)人: 西安华芯半导体有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 徐平;王少文
地址: 710075 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 低压 稳压器
【权利要求书】:

1.一种低压降稳压器,包括误差放大器电路(100),该误差放大器电路(100)的正向输入端接输入参考电压(Vref),其反向输入端接电阻反馈网络(120)的输出端,其输出端接PMOS驱动管(110)的栅极(G);所述PMOS驱动管(110)的源极(S)接电源电压(VDD),其漏极(D)接低压降稳压器的输出端(Vout);所述电阻反馈网络(120)的一端接电源电压(VDD),另一端接地,该电阻反馈网络(120)的输出端接误差放大器电路(100)的反向输入端;其特征在于:所述PMOS驱动管(110)的漏极(D)与栅极(G)之间接有反馈回路(130),该反馈回路(130)是包括相串联的补偿电阻(Rc)和补偿电容(Cc)的RC反馈回路。

2.根据权利要求1所述的低压降稳压器,其特征在于,所述的补偿电阻(Rc)和补偿电容(Cc)满足下列条件:

(i)第二主极点(P2)的角频率ωp2无限趋近于附加零点(Zc)的角频率ωzc

1CcRc1Roa(Cc+Cgs+Cgd),]]>

(ii)附加极点(Pc)的角频率ωpc无限趋近于零点(Z1)的角频率ωz1

1Rc(Cc//Cgs)1ResrCo,]]>

其中:Cc是反馈回路(130)的补偿电容,Rc是反馈回路(130)的补偿电阻,Roa是误差放大器电路(100)的输出阻抗,Cgs为PMOS驱动管的栅源极电容,Cgd为PMOS驱动管的栅漏极电容,Co是输出电容,Resr是输出电容(Co)的等效串联电阻。

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