[实用新型]一种用于10G激光器TO封装的新型陶瓷片

说明书

技术领域

本实用新型涉及光电子器件领域，更具体地说涉及一种用于10G激光器TO封装的新型陶瓷片。

背景技术

世界通信领域发展最快的是光纤通信技术与无线通信技术，而半导体激光器是光纤通信用的主要光源，是光电子元器件的核心器件，其中10G半导体激光器更是超长距离、超大容量光纤通信系统的关键器件。

如图1所示，其为现有半导体激光器9的结构示意图，该半导体激光器9包括主芯片91以及作外部封装用的管脚92和管座931，同时为了实现光功率正常输出以及对电流进行监控，该半导体激光器9还包括MPD（即Monitoring Photodiode监控光电二极管）94，该MPD94用于接收管座931上方分光片（图中未示出）反射回来的光而起到反馈作用，具体的，该管座931上方还设置有陶瓷片932，该管座931为整个半导体激光器9的承载主体，该陶瓷片932则用于放置主芯片91和MPD，该主芯片91和MPD则直接通过金属导线的方式而与管脚92相连。

但是，当上述封装结构适用于10G半导体激光器9时，此时前述金属导线的方式会产生较大干扰，并使得高频信号衰减，进而使得高速信号无法正常的输出。

有鉴于此，本发明人针对现有激光器9中的上述缺陷深入研究，遂有本案产生。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于10G激光器TO封装的新型陶瓷片，以解决现有技术中的封装结构应用在10G激光器时因高频信号衰减而使得信号无法正常输出的问题。

为了达成上述目的，本实用新型的解决方案是：

一种用于10G激光器TO封装的新型陶瓷片，用于承载主芯片并实现主芯片与管脚之间的连接，其中，包括陶瓷本体以及设置在陶瓷本体上的金属镀层，该金属镀层具有供主芯片设置的第一镀层以及分别布设在第一镀层周边并分别供与激光器正极管脚、MPD正极管脚和激光器负极管脚经金属导线相连的第二镀层、第三镀层和第四镀层。

进一步，该第一镀层与第四镀层之间还设置有对地匹配的薄膜电阻。

进一步，该金属导线采用并排设置的两条线。

进一步，该金属导线采用的为金线。

进一步，该金属镀层为镀金层。

进一步，该陶瓷本体采用的为氧化铝陶瓷。

采用上述结构后，本实用新型涉及的一种用于10G激光器TO封装的新型陶瓷片，其由于增设有金属镀层，并且该金属镀层具有位于第一镀层周边的第二镀层、第三镀层和第四镀层，由此从第二镀层、第三镀层和第四镀层分别到激光器正极管脚、MPD正极管脚和激光器负极管脚之间距离得到了很大程度上的缩短，从而减少因金属导线过长而使得激光器的高频信号衰减，进而确保高频信号能正常通过。

附图说明

图1为现有技术中半导体激光器的结构示意图；

图2为本实用新型涉及的一种用于10G激光器TO封装的新型陶瓷片的立体结构示意图；

图3为图2的俯视图；

图4为图2中示出的新型陶瓷片应用在半导体激光器中时的结构示意图。

图中：

激光器 100                             主芯片 1

管脚 2                                     激光器正极管脚 21

MPD正极管脚 22                  激光器负极管脚 23

MPD 3                                      陶瓷片 4

陶瓷本体 41                           金属镀层 42

第一镀层 421                         第二镀层 422

第三镀层 423                         第四镀层 424

金属导线 43                           薄膜电阻 44

半导体激光器 9                     主芯片 91

管脚 92

管座 931                                 陶瓷片 932

MPD 94。

具体实施方式

为了进一步解释本实用新型的技术方案，下面通过具体实施例来对本实用新型进行详细阐述。