[实用新型]用于化学气相沉积设备的连接管道

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路工艺装置，特别涉及一种用于化学气相沉积设备的连接管道。

背景技术

在半导体制造工艺中，为制作分立器件与集成电路，需要在晶片的衬底上沉积不同种类的薄膜，在沉积薄膜的方法中，化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)是一种常用的方法。所述的化学气相沉积方法包括低压化学气相沉积、高压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积以及其它各种半导体制作过程中用到的化学气相沉积方法。

化学气相沉积工艺过程一般在化学气相沉积设备的反应腔室中进行。所述反应腔室包括给晶圆加热的加热台和喷洒反应气体的喷头。当进行化学气相沉积工艺时，将待处理晶圆置于加热台上，通过喷头将含有薄膜所需的原子或分子的气体混合物注入反应腔室，并在所述反应腔室中发生反应，其原子或分子淀积在晶片表面，从而聚集形成薄膜。

利用反应腔室进行各种化学气相沉积工艺时，需要利用真空泵对反应腔室进行反应腔室内气压状态的维持与改变。在现有的化学气相沉积设备中，所述真空泵通过一连接管道与所述反应腔室连接。请参考图1，其为现有的用于化学气相沉积设备的连接管道的示意图。如图1所示，圆柱形的连接管道2的一个连接口与反应腔室1连接，另一个连接口与真空泵3连接，真空泵3通过该连接管道2实现对反应腔室1内气体的抽放，从而实现对反应腔室1内的气压状态的维持与改变。

在进行化学气相沉积工艺过程中，反应腔室1中会产生一些杂质颗粒，由于反应腔室1中温度很高，这些杂质颗粒往往以气态的形式存在。当真空泵3抽放反应腔室1内的气体时，由于连接管道2是一个直接连通反应腔室1和真空泵3的圆柱形管道，这些气态杂质颗粒将通过连接管道2毫无阻隔地直接进入真空泵3中，由于真空泵3的温度较低，这些气态的杂质颗粒将转变成固态，固态的杂质颗粒被吸入真空泵3的转子(图1中未示出)中，从而将影响所述转子的工作，进一步的，影响真空泵3的寿命，提高了生产成本。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于化学气相沉积设备的连接管道，以解决现有的用于化学气相沉积设备的连接管道不能阻止反应腔室中产生的杂质颗粒进入真空泵中的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种用于化学气相沉积设备的连接管道，所述化学气相沉积设备包括：反应腔室和真空泵；所述连接管道包括：与所述反应腔室连接的第一管道；与所述真空泵连接的第二管道；连接所述第一管道和第二管道的连接盒；所述第一管道包括位于所述连接盒内的第一弯形管道，所述第一弯形管道具有第一自由口；所述第二管道包括位于所述连接盒内的第二弯形管道，所述第二弯形管道具有第二自由口；所述第一自由口与所述第二自由口相背。

可选的，在所述用于化学气相沉积设备的连接管道中，所述第一弯形管道与所述第二弯形管道呈中心对称设置。

可选的，在所述用于化学气相沉积设备的连接管道中，所述第一管道包括位于所述连接盒外的第一竖直管道，所述第一竖直管道与所述第一弯形管道连通，所述第一竖直管道具有与所述反应腔室连接的第一连接口。

可选的，在所述用于化学气相沉积设备的连接管道中，所述第二管道包括位于所述连接盒外的第二竖直管道，所述第二竖直管道与所述第二弯形管道连通，所述第二竖直管道具有与所述真空泵连接的第二连接口。

可选的，在所述用于化学气相沉积设备的连接管道中，所述连接管道还包括用于承载杂质的抽屉，所述抽屉设置于所述连接盒内靠近第二弯形管道的墙上。

可选的，在所述用于化学气相沉积设备的连接管道中，所述抽屉的数量为两个，两个所述抽屉分别位于所述第二弯形管道的两侧。

可选的，在所述用于化学气相沉积设备的连接管道中，所述抽屉的数量为一个。

可选的，在所述用于化学气相沉积设备的连接管道中，所述连接管道还包括可通入冷却水的水管，所述水管设置于所述连接盒的墙内。

可选的，在所述用于化学气相沉积设备的连接管道中，所述水管设置于第一自由口所对着的所述连接盒的墙内。

本实用新型提供的用于化学气相沉积设备的连接管道，所述连接管道并不是直接连通的，而是包括第一管道与第二管道；连接所述第一管道和第二管道的连接盒；所述第一管道包括位于所述连接盒内的第一弯形管道，所述第一弯形管道具有第一自由口；所述第二管道包括位于所述连接盒内的第二弯形管道，所述第二弯形管道具有第二自由口；所述第一自由口与所述第二自由口相背。