[实用新型]绝缘型大功率三极管无效

专利信息
申请号: 201020672541.6 申请日: 2010-12-21
公开(公告)号: CN202003976U 公开(公告)日: 2011-10-05
发明(设计)人: 刘翠莲 申请(专利权)人: 深圳市安晶半导体电子有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/488;H01L29/73
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 绝缘 大功率 三极管
【说明书】:

【技术领域】

实用新型涉及一种半导体器件,更具体地说,涉及一种绝缘型大功率三极管。

【背景技术】

目前,一般的晶体管的集电极就是其热基板,即集电极和散热基板是相通的。在使用过程中需要采用绝缘措施将晶体管与散热器隔开,通常用云母片或涤纶薄膜覆导热硅脂后,贴装于功率器件与散热器之间。这种绝缘措施将导致热阻大幅度提高,实际耗散功率降低,可靠性下降,采用这种绝缘方式易产生漏电绝缘不佳和短路等故障,同时对散热器表面和器件安装面的光洁度要求不高。所述现有技术的缺陷值得改进。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于针对上述技术缺陷,提供一种绝缘型大功率三极管,该一种大功率三极管将集电极与散热基板隔开,既保证了电的绝缘,又保证了热的快速传导。

本实用新型的技术方案如下所述:一种绝缘型大功率三极管,包括芯片、热沉、底板和引脚,其特征在于,芯片的安装面上涂覆热硅脂,并贴装于热沉上,热沉与底板之间设有导热绝缘电陶瓷片,热沉上设有晶体管的一只引脚,引脚通过铝丝与芯片相连,所述导热绝缘电陶瓷片双面涂镀有金属层。

根据上述结构的本实用新型,其特征还在于,所述导热绝缘电陶瓷片选用高导热率绝缘的电子陶瓷片,所述的电子陶瓷片的厚度为150-250微米。

根据上述结构的本实用新型,其特征还在于,所述的电子陶瓷片的单面涂镀金属层的厚度为8-18微米。

根据上述结构的本实用新型,其有益效果在于,本实用新型结构紧凑、电流线性耗、噪音低、耗散功率大、热阻小。本实用新型采用电子陶瓷作绝缘导热层,热导率高,其集电极-基极间击穿强度大于1000V。安装于同样表面积的散热器上,热阻比云母片绝缘情况低20%。

【附图说明】

附图1为本实用新型的结构示意图;

附图2为本实用新型的内部结构侧视图。

在附图中,1、芯片;2、底板;3、热沉;4、导热绝缘电陶瓷片;5、引脚;6、引线。

【具体实施方式】

下面结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述:

如附图1、附图2所示,一种绝缘型大功率三极管,包括芯片1、热沉3、底板2和引脚6,其特征在于,芯片1的安装面上涂覆热硅脂,并贴装于热沉3上,该芯片1优选采用双极型晶体管,热沉3与底板2之间设有导热绝缘电陶瓷片4,热沉3上设有晶体管的一只引脚5,该热沉3优选采用铜,引脚5通过引线6与芯片1相连,所述导热绝缘电陶瓷片4双面涂镀有金属层。

所述导热绝缘电陶瓷片4选用高导热率绝缘的电子陶瓷片,所述的电子陶瓷片的厚度为150-250微米。

所述的电子陶瓷片的单面涂镀金属层的厚度为8-18微米。

所述的电子陶瓷片双面涂镀的金属层优选采用镍。

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