[实用新型]绝缘型大功率三极管无效
| 申请号： | 201020672541.6 | 申请日： | 2010-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN202003976U | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 刘翠莲 | 申请（专利权）人： | 深圳市安晶半导体电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/488;H01L29/73 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 大功率 三极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种绝缘型大功率三极管，包括芯片、热沉、底板和引脚，其特征在于：芯片的安装面上涂覆热硅脂，并贴装于热沉上，热沉与底板之间设有导热绝缘电陶瓷片，热沉上设有晶体管的一只引脚，引脚通过引线与芯片相连，所述导热绝缘电陶瓷片双面涂镀有金属层。
2.根据权利要求1所述的绝缘型大功率三极管，其特征在于：所述导热绝缘电陶瓷片选用高导热率绝缘的电子陶瓷片，所述的电子陶瓷片的厚度为150-250微米。
3.根据权利要求1或2所述的绝缘型大功率三极管，其特征在于：所述的电子陶瓷片的单面涂镀金属层的厚度为8-18微米。
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