[实用新型]一种智能功率模块的功率封装结构

权利要求书

1.一种智能功率模块的功率封装结构，包括基板，电路拓扑布局，功率器件和吸收电容，功率器件安装于基板上，其特征在于吸收电容封装于电路拓扑布局中最靠近功率器件的P端和N端。

2.根据权利要求1所述的智能功率模块的功率封装结构，其特征在于基板上还包括驱动芯片、保护和控制电路芯片。

3.根据权利要求1所述的智能功率模块的功率封装结构，其特征在于引线框直接焊接在功率器件上，以有效降低封装线路寄生电感。

4.根据权利要求1所述的智能功率模块的功率封装结构，其特征在于基板上安装的功率器件是P型MOSFET器件和N型MOSFET器件，P型MOSFET器件、N型MOSFET器件与输出侧连接电路连接，在P型MOSFET器件直接焊接有上桥臂源极连接引线框，电路中为直流侧负极P，在N型MOSFET器件上直接焊接有下桥臂源极连接引线框，电路中为直流侧正极N，上桥臂源极连接引线框与下桥臂源极引线框为平行设置；吸收电容内置于最靠近P型MOSFET器件的P端和N型MOSFET器件的N端，且直接焊接在上桥臂源极连接引线框和下桥臂源极连接引线框的的表面，使得吸收电容引脚位置最靠近P型MOSFET器件、N型MOSFET器件。

5.根据权利要求1所述的智能功率模块的功率封装结构，其特征在于基板上安装的功率器件是IGB器件，包括上管IGBT器件和下管IGBT器件，上管IGBT门极与引线框焊接连接，单相下管IGBT门极直接焊接于底层电路，上管IGBT集电极在电路中作为P极，下管IGBT发射极在电路中作为N极，P极、N极自基板上引出，为相互平行走线；吸收电容内置且直接焊接在最靠近上管IGBT器件和下管IGBT器件上，使吸收电容引脚位置靠近上管IGBT器件和下管IGBT器件。