[实用新型]硅片烘干可控装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种烘干装置，尤其是涉及一种用于光刻工艺中旋转涂胶和显影定影后的硅片烘干可控装置。

背景技术

硅片烘干类设备是IC生产线上的关键设备之一，主要用于半导体集成电路、晶体管、LED、MEMS等生产中基片的烘干工艺中。光刻的基本工艺是由光刻胶涂敷、烘干、曝光、显影定影及烘干等几大步骤构成。由于光刻胶内含有溶剂，使得光刻胶本身能以液态的形式存在，因此在光刻胶涂敷后要进行烘干起到坚膜的作用，显影液定影液也是以液态的形式存在，在显影定影后要进行烘干起到烘干的作用。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种硅片烘干可控装置，其结构简单，设计合理，能有效实现对基片的恒温烘干，且不对基片造成污染，同时应用范围广。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种硅片烘干可控装置，其特征在于：包括石英加热模块以及与所述石英加热模块相接的氮气管路系统和用于控制所述石英加热模块工作状态的温区控制系统，所述石英加热模块上部中心设置有氮气入口，所述氮气入口与所述氮气管路系统相接。

上述的硅片烘干可控装置，其特征在于：所述石英加热模块包括石英管和套装在石英管外侧的外围板，所述石英管外表面包覆有加热器一、加热器二和加热器三，所述加热器一、加热器二和加热器三的端部均位于外围板外，所述外围板与石英管之间填充有隔热层。

上述的硅片烘干可控装置，其特征在于：所述氮气管路系统由氮气气源以及依次设置在氮气气源管路上的电磁阀、精密压力开关和精密流量计。

上述的硅片烘干可控装置，其特征在于：所述氮气管路系统包括上位机、与上位机输入端相接的温控仪一、温控仪二和温控仪三以及与上位机输出端相接的固态继电器一、固态继电器二和固态继电器三，所述固态继电器一与加热器一相接，所述固态继电器二与加热器二相接，所述固态继电器三与加热器三相接。

上述的硅片烘干可控装置，其特征在于：还包括与温控仪一相接且用于实时检测加热器一温度的热电偶一、与温控仪二相接且用于实时检测加热器二温度的热电偶二和与温控仪三相接且用于实时检测加热器三的热电偶三。

本实用新型与现有技术相比具有以下优点：

1、结构简单，设计合理，该硅片烘干可控装置包括石英加热模块以及与石英加热模块相接的氮气管路系统和用于控制石英加热模块工作状态的温区控制系统，石英加热模块上部中心设置有氮气入口，氮气入口与氮气管路系统相接。

2、通过上位机对温控仪设定温度和实时检测温度进行对比，来控制固态继电器和电磁阀，以及通过在高纯度石英管外部包覆加热器来对氮气进行保护，进而使得温区系统处于恒温状态对基片进行烘干，且不会对基片造成损坏、污染，保证烘干工艺有效进行。

3、应用范围广，可有效适用于半导体、LED、MEMS等生产领域。

下面通过附图和实施例，对本实用新型做进一步的详细描述。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

图2为本实用新型温区控制系统的结构示意图。

图3为本实用新型氮气管路系统的结构示意图。

附图标记说明：

1-外围板；        2-隔热层；        3-石英管；

4-加热器一；      5-加热器二；      6-加热器三；

7-上位机；        8-温控仪一；      9-温控仪二；

10-温控仪三；     11-固态继电器一； 12-固态继电器二；

13-固态继电器三； 14-氮气气源；     15-电磁阀；

16-精密压力开关； 17-精密流量计；   18-热电偶一；

19-热电偶二；     20-热电偶三；     21-氮气入口。

具体实施方式

如图1所示的一种硅片烘干可控装置，包括石英加热模块以及与所述石英加热模块相接的氮气管路系统和用于控制所述石英加热模块工作状态的温区控制系统，所述石英加热模块上部中心设置有氮气入口21，所述氮气入口21与所述氮气管路系统相接。

如图1所示，所述石英加热模块包括石英管3和套装在石英管3外侧的外围板1，所述石英管3外表面包覆有加热器一4、加热器二5和加热器三6，所述加热器一4、加热器二5和加热器三6的端部均位于外围板1外，所述外围板1与石英管3之间填充有隔热层2。

如图3所示，所述氮气管路系统由氮气气源14以及依次设置在氮气气源14管路上的电磁阀15、精密压力开关16和精密流量计17。