[实用新型]晶舟有效
申请号: | 201020564748.1 | 申请日: | 2010-10-16 |
公开(公告)号: | CN201845746U | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 张明华;蒋莉;黎铭琦;白英英 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶舟 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体制造装置技术领域,尤其涉及一种晶舟。
背景技术
通常来说,在半导体集成电路的生产制造过程中,为确保半导体晶片的安全储存、搬移,避免破损和污染,广泛运用晶舟作为晶片的承载及运输工具。
关于现有的晶舟,请参考图1A至图1C,其中,图1A为现有的晶舟的正视图,图1B为图1A沿A-A方向的剖视图,图1C为图1A示意的现有的晶舟装有晶片后沿A-A方向的剖视图,如图1A至图1C所示,现有的晶舟包括盒体101,所述盒体101两侧设置有相对的挡板102,晶片200放置于所述挡板102上。且现有的挡板102的宽度x通常为5mm左右。由于在传统的二维集成电路中,晶片的直径一般为几百毫米,其厚度一般大于300微米,因此现有的晶舟能满足安全存储晶片的要求。
然而,当集成电路进入到三维(3D)集成阶段时,将出现超薄晶片,从而使得现有的晶舟不能满足安全存储的要求。所谓3D集成电路是指器件做在不同的晶片上,再通过穿透硅通孔(TSV,Through Silicon Via)将这些晶片在Z方向进行连接。在3D集成电路中,通常都会对晶片进行减薄,以使穿透硅通孔穿通整个晶片,从而出现了厚度小于50μm的超薄晶片。由于超薄晶片极易弯折,而现有的挡板的宽度通常只有5mm左右,若采用现有的晶舟运载超薄晶片,超薄晶片将极易滑落,从而导致超薄晶片变形,甚至破裂。
因此,有必要提供一种改进的晶舟,使其能安全有效地存储及运载超薄晶片。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶舟,以解决现有的晶舟不能安全有效地存储及运载超薄晶片的问题。
为解决上述问题,本实用新型提出一种晶舟,用于装载晶片,所述晶舟包括盒体,所述盒体两侧具有相对的挡板,其特征在于,所述盒体内还设置有支撑板,所述支撑板与所述挡板平行,且位于同一平面。
可选的,所述挡板的宽度为5~150mm。
可选的,所述支撑板位于所述盒体两侧相对挡板的正中间。
可选的,所述支撑板的长度大于所述晶片的半径。
可选的,所述支撑板的长度为100~300mm。
可选的,所述支撑板的宽度为1~200mm。
可选的,所述支撑板的材料为塑料或金属。
本实用新型由于采用以上的技术方案,使之与现有技术相比,具有以下的优点和积极效果:
1、本实用新型提供的晶舟包括支撑板,所述支撑板对挡板上的超薄晶片起支撑作用,可防止超薄晶片变形滑落受损;
2、本实用新型提供的晶舟中的挡板的宽度为5~150mm,大于现有的晶舟中的挡板的宽度,从而可进一步防止超薄晶片滑落受损。
附图说明
图1A为现有的晶舟的正视图;
图1B为图1A沿A-A方向的剖视图;
图1C为图1A示意的现有的晶舟装有晶片后沿A-A方向的剖视图;
图2A为本实用新型实施例提供的晶舟的正视图;
图2B为图2A沿B-B方向的剖视图;
图2C为图2A示意的本实用新型实施例提供的晶舟装有晶片后沿B-B方向的剖视图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的晶舟作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书,本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率,仅用于方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。
本实用新型的核心思想在于,提供一种晶舟,用于装载超薄晶片,所述晶舟包括盒体,所述盒体两侧具有相对的挡板,所述超薄晶片位于所述挡板上,所述盒体内还设置有支撑板,所述支撑板支撑所述超薄晶片,防止所述超薄晶片变形,并且所述挡板的宽度大于现有的晶舟中的挡板的宽度,从而使得超薄晶片不易滑落受损,可安全有效地存储及运载超薄晶片。
请参考图2A至图2C,其中,图2A为本实用新型实施例提供的晶舟的正视图,图2B为图2A沿B-B方向的剖视图,图2C为图2A示意的本实用新型实施例提供的晶舟装有晶片后沿B-B方向的剖视图,如图2A至图2C所示,本实用新型实施例提供的晶舟包括盒体201,所述盒体201两侧具有相对的挡板202,超薄晶片300放置于所述挡板202上,所述盒体201内还设置有支撑板203,所述支撑板203与所述挡板202平行,且位于同一平面。
进一步地,所述挡板202的宽度y为5~150mm,从而可更大面积地与所述超薄晶片300接触,防止超薄晶片300滑落。
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