[实用新型]具有改进型终端的IGBT

权利要求书

1.一种具有改进型终端的IGBT，在所述IGBT器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的有源区和终端保护区，所述有源区位于半导体基板的中心区，终端保护区位于有源区的外围；所述终端保护区包括位于其内圈的分压保护区及位于其外圈的截止保护区；所述分压保护区包括第一分压保护区与第二分压保护区，所述第一分压保护区环绕保护有源区，第二分压保护区位于第一分压保护区的外圈，并环绕包围第一分压保护区及有源区；其特征是：

在所述IGBT器件的截面上，所述半导体基板具有两个相对的主面，所述主面包括第一主面与第二主面，半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型漂移区；第二分压保护区包括至少一个第二导电类型注入区，所述第二导电类型注入区在第一导电类型漂移区内沿第一主面指向第二主面的方向延伸，相邻的第二导电类型注入区由第一导电类型漂移区相间隔；

所述第二导电类型注入区内包括至少一个分压沟槽，所述分压沟槽位于第二导电类型注入区内，并沿由第一主面指向第二主面的方向在第二导电类型注入区内延伸；所述分压沟槽内填充有第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层填充在分压沟槽内，并覆盖在半导体基板相应的第一主面上。

2.根据权利要求1所述的具有改进型终端的IGBT，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，分压沟槽的宽度及深度小于所述分压沟槽所在第二导电类型注入区相应的宽度及深度；第二分压保护区内的分压沟槽沿着有源区指向截止保护区的方向宽度逐渐变宽，并被相应第二导电类型注入区所包围；所述分压沟槽的宽度为0.4~6μm。

3.根据权利要求1所述的具有改进型终端的IGBT，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，所述有源区为沟槽型IGBT结构或平面型IGBT结构。

4.根据权利要求3所述的具有改进型终端的IGBT，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，沟槽型IGBT结构包括元胞沟槽，所述元胞沟槽位于第二导电类型阱区，深度伸入第二导电类型阱区下方的第一导电类型漂移区；元胞沟槽内壁表面生长有绝缘氧化层，在所述内壁生长有绝缘氧化层的元胞沟槽内淀积导电多晶硅，有源区内的元胞通过位于元胞沟槽内的导电多晶硅并联成整体；元胞沟槽的外壁上方设有第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区与元胞沟槽的外壁相接触；元胞沟槽的槽口覆盖有第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层位于半导体基板的第一主面上，并覆盖在相应的第一分压保护区上；元胞沟槽两侧的上方均设有第一接触孔，所述第一接触孔内淀积有发射极金属，所述发射极金属覆盖在有源区上，并填充在第一分压保护区上方的第一接触孔内；发射极金属与有源区内的第二导电类型阱区、第一分压保护区相接触，并将有源区内的第二导电类型阱区与第一分压保护区连接成等电位。

5.根据权利要求4所述的具有改进型终端的IGBT，其特征是：所述第一分压保护区包括一个第二导电类型注入区，所述第二导电类型注入区与邻近分压保护区的元胞沟槽外壁相接处，并包围相应的第一导电类型注入区；第一分压保护区内的第二导电类型注入区与第二分压保护区内的第二导电类型注入区通过第一导电类型漂移区相间隔。

6.根据权利要求1所述的具有改进型终端的IGBT，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，所述半导体基板的第二主面上设有第二导电类型集电区，半导体基板对应于设置第二导电类型集电区的第二主面上淀积有集电极金属。

7.根据权利要求1所述的具有改进型终端的IGBT，其特征是：在所述IGBT器件的截面上，所述截止保护区包括第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区位于第一导电类型漂移区内，并沿半导体基板的第一主面指向第二主面的方向在第一导电类型漂移区内延伸；截止保护区内的第二导电类型阱区的一端与半导体基板的第一主面相接触；第二导电类型阱区的上部设有第一导电类型注入区；第一绝缘介质层覆盖在截止保护区上，截止保护区对应于第一导电类型注入区的上方设有第二接触孔，所述第二接触孔内淀积有截止保护区金属，所述截止保护区金属并覆盖在第一绝缘介质层对应于邻近截止保护区的端部表面。