[实用新型]混合集成大功率运算放大器

权利要求书

1.一种混合集成大功率运算放大器，其特征在于该运算放大器包括一个复合膜厚膜集成电路板，所述的复合膜厚膜集成电路板中连接至少一个复合膜厚膜陶瓷基板，所述的复合膜厚膜陶瓷基板上分别连接有至少10个电阻、一种贵金属导体(1)、另一种贵金属导体(2)、与8个输出管脚连接的金属外壳；所述的复合膜厚膜陶瓷基板上还集成有：

一个差分输入级电路(1)，一个电压放大驱动级电路(2)，一个互补功率放大输出级电路(4)，一个偏置电路(3)和一个限流保护电路(5)；

所述的差分输入级电路(1)与电压放大驱动级电路(2)连接，所述的电压放大驱动级电路(2)与互补功率放大输出级电路(4)连接，所述的互补功率放大输出级电路(4)分别与偏置电路(3)和限流保护电路(5)连接组成。

2.根据权利要求1所述的混合集成大功率运算放大器，其特征在于其中所述的差分输入级电路(1)连接一个小信号一次集成运算放大器芯片(A1)器件。

3.根据权利要求1所述的混合集成大功率运算放大器，其特征在于其中所述的电压放大驱动级电路(2)由第一晶体管(Q1)、第一二极管(D1)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2)连接组成。

4.根据权利要求1所述的混合集成大功率运算放大器，其特征在于其中所述的互补功率放大输出级电路(4)由第二晶体管(Q2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、一功率管(Q5)、另一功率管(Q6)相互连接组成。

5.根据权利要求1所述的混合集成大功率运算放大器，其特征在于其中所述的偏置电路(3)由第二晶体管(Q2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)相互连接组成。 

6.根据权利要求1所述的混合集成大功率运算放大器，其特征在于其中所述的限流保护电路(5)由第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第三晶体管(Q3)、第四晶体管(Q4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)相互连接组成。

7.根据权利要求1所述的混合集成大功率运算放大器，其特征在于所述的复合膜厚膜陶瓷基板上连接的至少10个厚膜电阻、一种贵金属导体(1)、另一贵金属导体(2)为多层印刷烧结连接。

8.根据权利要求1或7所述的混合集成大功率运算放大器，其特征在于所述的复合膜厚膜陶瓷基板上的第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)均为厚膜电阻；厚膜电阻R31与厚膜电阻R32并联组成其中第三电阻(R3)；厚膜电阻R41与厚膜电阻R42串联组成其中第四电阻(R4)。

9.根据权利要求1所述的混合集成大功率运算放大器，其特征在于所述的一种贵金属导体(1)与大功率管芯(Q5、Q6)为合金焊接；所述的另一种贵金属导体(2)与晶体管管芯、二极管管芯、一次集成运算放大器芯片(A1)之间相互连接并组成一个键合互联区域。

10.根据权利要求1所述的混合集成大功率运算放大器，其特征在于所述的复合膜厚膜陶瓷基板为高导热率陶瓷基板，所述高导热率陶瓷基板用厚膜浆料多层印刷烧结，该陶瓷基板与所有元器件、外壳引出端的8个输出管脚连接。