[实用新型]一种复合镀膜的SMD晶体谐振器晶片无效

专利信息
申请号: 201020548065.7 申请日: 2010-09-29
公开(公告)号: CN201821325U 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 吴成秀;吴亚华 申请(专利权)人: 铜陵市峰华电子有限公司
主分类号: H03H9/19 分类号: H03H9/19
代理公司: 合肥诚兴知识产权代理有限公司 34109 代理人: 汤茂盛
地址: 244000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 复合 镀膜 smd 晶体 谐振器 晶片
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种复合镀膜的SMD晶体谐振器晶片。

背景技术

SMD晶体谐振器制造厂家对晶片的加工镀膜方法是:将晶片部分表面镀上一层银作为晶片的电极(此电极的面积小于晶片表面积),增强导电性能,使晶体在电场的作用下形成逆压电效应。但由于银和水晶晶片结合度不是很好,特别是在空气湿度比较大的情况下镀膜时,银层附着力会急剧降低,在加热或振动后发生银层脱落。有银层脱落现象的晶体谐振器,电阻值升高,相应的功耗增加,甚至造成不“起振”或工作不稳定的现象。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种复合镀膜的SMD晶体谐振器晶片,可以提高银层的附着力,提高晶体谐振器可靠性。

本实用新型是这样实现的:晶片上、下表面设有镀膜电极,所述镀膜电极由在晶片表面镀金属Cr形成的镀Cr基层和在基层表面镀金属银形成的镀银表层构成。

由于金属Cr在晶片上附着力强,而镀银表层是镀在Cr层上而不是直接镀在水晶晶片上,因此附着力大大加强。检验银层附着力最基本的方法是使用3M胶带粘上晶片后撕开,开是否有银层脱落到胶带上。使用复合镀膜的晶片,使用3M胶带检测未发现有脱银现象。

虽然镀Cr可以增加银层附着力,但如果Cr层过厚,会导致晶体谐振器的电阻增加。本发明人通过实验发现,镀Cr基层的厚度在6.0~6.5nm Cr时,产品电阻值变化仅在2Ω以内,不会使晶体谐振器的电阻值升高。

由上述技术方案可知,本实用新型镀银表层通过镀Cr基层附着在晶片上,可以增强银层的附着力,可以提高晶体谐振器可靠性。

附图说明

图1是本实用新型结构示意图。

图2是图1的俯视图。

具体实施方式

如图1和图2所示,本实用新型晶片1用自动溅射镀膜方式在晶片上、下表面形成镀膜电极2,镀膜电极2由在晶片1表面镀金属Cr形成的镀Cr基层21和在基层21表面镀金属银形成的镀银表层22构成,其中镀Cr基层21的厚度为6.0~6.5nm。

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