[实用新型]发光二极管导线架无效
| 申请号: | 201020539758.X | 申请日: | 2010-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN201868467U | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
| 发明(设计)人: | 郑志丕 | 申请(专利权)人: | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L25/16 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215316 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 导线 | ||
1.一种发光二极管导线架,其包括:若干金属接脚及胶座,其特征在于:所述胶座射出成型于金属接脚上并设有中空的功能区,胶座呈矩形并定义有纵向及横向,所述功能区包括上收容腔及下收容腔,所述上收容腔及下收容腔各自设有相对的两倾斜纵向内壁及相对的两倾斜横向内壁,并且上、下收容腔各自于其相对纵向内壁之间及横向内壁之间所形成的夹角均相同。
2.如权利要求1所述的发光二极管导线架,其特征在于:所述上收容腔相对两横向内壁之间所形成的夹角为a,下收容腔相对两横向内壁之间所形成的夹角为b,上收容腔相对两纵向内壁之间所形成的夹角为c,下收容腔相对两纵向内壁之间所形成的夹角为d,所述a、b、c、d角度相同。
3.如权利要求2所述的发光二极管导线架,其特征在于:所述上收容腔设有底壁,所述底壁设有若干凹陷部,所述凹陷部包括位于纵向两端的两个电极收容孔及与其中一电极收容孔相邻设置的承载收容孔。
4.如权利要求3所述的发光二极管导线架,其特征在于:其进一步包括发光芯片及静电保护芯片,所述金属接脚包括正电极及负电极,所述发光二极管导线架还包括负极引线、正极引线及第三引线,所述负电极一侧延伸形成承载发光芯片的承载部,于承载部侧边延伸并弯折形成一承载静电保护芯片的承载台,负电极另一侧弯折并延伸形成连接负极引线的第一突出部。
5.如权利要求4所述的发光二极管导线架,其特征在于:所述正电极的一侧弯折并延伸形成连接正极引线的第二突出部,所述负电极的承载部位于胶座的下收容腔中并裸露出承载部的上表面,负电极的承载台位于胶座的凹陷部的承载收容孔中并裸露出承载台上表面。
6.如权利要求5所述的发光二极管导线架,其特征在于:所述金属接脚的正电极的第二突出部及负电极的第一突出部位于胶座的凹陷部的电极收容孔中并至少部分裸露,所述发光芯片位于功能区的下收容腔底部的中部,静电保护芯片位于上收容腔的底壁一侧的承载收容孔内。
7.一种发光二极管导线架,电性连接发光芯片及静电保护芯片,其包括:若干金属接脚及胶座,其特征在于:所述胶座射出成型于金属接脚上并设有中空的功能区,胶座呈矩形并定义有纵向及横向,所述功能区包括上收容腔及下收容腔,所述功能区的上收容腔及下收容腔各自设有相对的两纵向内壁及相对的两横向内壁,所述发光芯片位于功能区的下收容腔底部的中部,静电保护芯片位于上收容腔的横向内壁的一旁侧,所述功能区的上、下收容腔的相对纵向内壁之间及横向内壁之间所形成的夹角均相同,发光芯片的发光反射区域避开静电保护芯片吸收光的区域。
8.如权利要求7所述的发光二极管导线架,其特征在于:所述上收容腔相对两横向内壁之间所形成的夹角为a,下收容腔相对两横向内壁之间所形成的夹角为b,上收容腔相对两纵向内壁之间所形成的夹角为c,下收容腔相对两纵向内壁之间所形成的夹角为d,所述a、b、c、d角度相同。
9.如权利要求8所述的发光二极管导线架,其特征在于:所述上收容腔设有底壁,所述底壁设有若干凹陷部,所述凹陷部包括位于纵向两端的两个电极收容孔及与其中一电极收容孔相邻设置的承载收容孔。
10.如权利要求9所述的发光二极管导线架,其特征在于:所述金属接脚包括正电极及负电极,所述发光二极管导线架还包括负极引线、正极引线及第三引线,所述负电极一侧延伸形成承载发光芯片的承载部,于承载部侧边延伸并弯折形成承载静电保护芯片的承载台,负电极另一侧弯折并延伸形成连接负极引线的第一突出部。
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