[实用新型]一种肖特基双胞芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种肖特芯片，特别涉及一种热特性一致、可靠性高的肖特基双胞芯片。

背景技术

肖特基二极管是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

在应用于各类开关电源的二次侧整流时，该类电源要求两只肖特基二极管工作时须具备相同的电特性。而传统的肖特基二极管为单颗芯片结构，装配时，两单独的单颗肖特基芯片封装后成为一个整体。该种结构的肖特基二极管热特性无法趋于一致，产品的可靠性存在缺陷，且封装时装片效率低。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种热特性一致、可靠性高的肖特基双胞芯片。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：一种肖特基双胞芯片，从下到上依次包括阴极金属层、N++衬底、N-外延层、势垒层、阳极金属层和氧化层，其创新点在于：所述阳极金属层为两片相互独立不接触的阳极金属，在所述两阳极金属外均设有一圈用于消除边缘区域电场的氧化层。

本实用新型的优点在于：在用于各类开关电源的二次侧整流时，两片阳极金属分别与氧化层、N-外延层、N++衬底、阴极金属层构成一个肖特基芯片结构，两者的电特性趋于一致。封装时，在金属框架上制作成成管，两片阳极金属分别连接一引线，阴极金属层与金属框架连接，芯片上的两个独立管芯发出的热通过同一衬底散发，故芯片的热特性趋于一致，很好的提高了产品的可靠性，另外由于封装时只需一次装片，提高了生产效率。

附图说明

附图为本实用新型肖特基双胞芯片结构示意图。

具体实施方式

如附图所示，本实用新型的肖特基双胞芯片从下到上依次包括阴极金属层1、N++衬底2、N-外延层3、势垒层4、阳极金属层5和氧化层6，其中，阳极金属层5为两片相互独立不接触的阳极金属5a和阳极金属5b，氧化层6设在在阳极金属5a、5b外用于消除边缘区域电场。阳极金属5a、5b与N-外延层3之间分别形成独立的势垒层4。