[实用新型]一种肖特基双胞芯片有效
| 申请号： | 201020537051.5 | 申请日： | 2010-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN201812819U | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 薛列龙 | 申请（专利权）人： | 如皋市大昌电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/872;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所 11316 | 代理人： | 赵绍增 |
| 地址： | 226500 江苏省如皋市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 双胞 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种肖特基双胞芯片，从下到上依次包括阴极金属层、N++衬底、N-外延层、势垒层、阳极金属层和氧化层，其特征在于：所述阳极金属层为两片相互独立不接触的阳极金属，在所述两阳极金属外均设有用于消除边缘区域电场的氧化层。
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