[实用新型]钽溅射环

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种钽溅射环。 

背景技术

目前，在半导体结构表面形成电极膜通常采用溅射的方法。溅射是一种物理气相淀积(PVD)的镀膜方式，其是用带电粒子轰击靶材，使靶材发生表面原子碰撞并发生能量和动量的转移，靶材原子从表面逸出并淀积在衬底上的过程。利用溅射工艺可在衬底表面形成金属、合金或电介质薄膜。 

由于带电粒子轰击靶材的方向是不确定的，导致从靶材表面逸出的靶材原子的方向性较差，即靶材原子会从各个角度脱离靶材表面，之后沿直线到达衬底表面，进而使得靶材原子对衬底表面内接触孔或通孔的底部和侧壁覆盖能力差，以及对台阶的侧壁覆盖能力也很差，因此为了在接触孔或通孔的底部和侧壁以及台阶的侧壁取得较好的覆盖效果，通常采用准直溅射。 

准直溅射是在靶材和衬底之间设置一个溅射环，所述溅射环通常接地，用于将等离子体中的粒子聚集在一定范围内，若从靶材上被溅射出的靶材粒子角度较大，有可能这些靶材粒子会淀积在准直器上，被聚集后的靶材粒子将通过溅射环淀积在接触孔或通孔的底部和侧壁。 

钽溅射环是这样一种常用的溅射环，但是现有技术中8英寸硅片生产用的钽溅射环往往使用寿命较短，一般使用两次后就需要进行处理，不然生产出的产品电性能就会降低，影响产品的质量。 

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种钽溅射环，较现有技术中8英寸硅片生产用的钽溅射环延长了使用寿命。 

为实现上述目的，本实用新型实施例提供了如下技术方案： 

一种钽溅射环，该钽溅射环上具有花纹，所述花纹的大小大于80TPI，且深度大于100μm。 

优选的，所述花纹的大小为大于50TPI，且小于20TPI。 

优选的，所述花纹的大小为大于45TPI，且小于25TPI。 

优选的，所述花纹的大小为大于40TPI，且小于30TPI。 

优选的，所述花纹的深度为大于200μm，且小于800μm。 

优选的，所述花纹的深度为大于300μm，且小于700μm。 

优选的，所述花纹的深度为大于400μm，且小于600μm。 

优选的，所述花纹由多个菱形结构重复排列形成。 

优选的，所述花纹采用滚花的方式制作。 

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点： 

本实用新型实施例提供的钽溅射环，通过增大钽溅射环上的花纹大小，并加深花纹深度，解决了现有技术中因钽溅射环的花纹过于细小，且深度浅而导致的对大角度的靶材粒子吸附能力差从而导致的使用寿命短的问题，本实用新型实施例中的钽溅射环的花纹能够吸附的更多的靶材粒子，进而增加了钽溅射环的使用次数，延长了使用寿命。 

附图说明

通过附图所示，本实用新型的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本实用新型的主旨。 

图1为本实用新型实施例公开的钽溅射环的花纹形状示意图； 

图2为本实用新型实施例公开的钽溅射环的花纹深度示意图； 

图3为本实用新型实施例公开的钽溅射环的花纹结构的图片。 

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。 

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似推广，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。 

其次，本实用新型结合示意图进行详细描述，在详述本实用新型实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本实用新型保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。