[实用新型]采用双向反接保护的蓄电池充电控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及蓄电池充电保护技术，特别是一种采用双向反接保护的蓄电池充电控制电路。

背景技术

目前，采用新能源成为当前人类面临的迫切课题。在采用新能源用于动力和照明时，往往需要配置蓄电池供电系统。在使用蓄电池供电系统时，无论充电电源反接还是蓄电池反接，都会带来严重的后果。现有技术中，普遍采用熔断器、继电器、二极管、晶闸管、晶体三极管和二极管与场效应管串联对充电电源反接或蓄电池反接进行保护，采用以上方法都存在以下缺点：

采用熔断器一次性保护虽然简单，熔断器熔断后，需要人工更换新的熔断器，十分不方便；

采用继电器保护，大电流工作时触点容易烧毁，且触点通断次数有限；采用二极管、晶闸管、晶体三极管和二极管与场效应管串联保护均有导通电阻大，大电流工作时功率损耗大等等。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术的上述不足而提供一种采用双向反接保护的蓄电池充电控制电路。

本实用新型的技术方案是：一种采用双向反接保护的蓄电池充电控制电路，是由端子1、输入端子2、端子3、P沟道场效应管4、电阻5、P沟道场效应管6、二极管7、电阻8、电阻9、二极管10、电容11、电阻12、光电耦合器13、电阻14、光电耦合器15、电阻16、电容17、NPN晶体三极管18、电阻19、电容20、电阻21、端子22、端子23组成。

端子1分别与二极管7正极、P沟道场效应管4的源极(S)、电阻8连接，电阻8的另一端分别与P沟道场效应管4的栅极(G)、电阻14、P沟道场效应管6的栅极(G)、电阻9连接，电阻9的另一端分别与P沟道场效应管6的源极(S)、二极管10正极、端子22连接，电阻5的一端与P沟道场效应管4的漏极(D)连接，电阻5的另一端与P沟道场效应管6的漏极(D)连接，二极管7负极分别与电阻12、电容11连接，电阻12的另一端与光电耦合器13中的发光二极管正极连接，电容11的另一端接地，光电耦合器13中的发光二极管负极接地，光电耦合器13中的光敏三极管集电极与光电耦合器15中的光敏三极管发射极连接，光电耦合器13中的光敏三极管发射极与NPN晶体三极管18的集电极连接，NPN晶体三极管18的发射极接地，NPN晶体三极管18的基极分别与电阻19、电阻21连接，电阻21的另一端接地，电阻19的另一端与电容20连接并与输入端子2连接，电容20的另一端接地，光电耦合器15中的光敏三极管集电极与电阻14的另一端连接，二极管10负极分别与电阻16、电容17连接，电容17的另一端接地，电阻16的另一端与光电耦合器15中的发光二极管正极连接，光电耦合器15中的发光二极管负极接地，端子3和端子23接地。

本实用新型进一步的技术方案是：可以用PNP型晶体管替代P沟道场效应管4和P沟道场效应管6。这时，连接到P沟道场效应管栅极(G)、漏极(D)和源极(S)的位置分别被PNP型晶体管基极(B)、集电极(C)和发射极(E)所一一对应替换。在PNP型晶体管内部没有集成续流二极管的，在替换使用时，每只PNP型晶体管集电极(C)和发射极(E)之间需要连接一只二极管，其正极连接PNP型晶体管集电极(C)，负极连接PNP型晶体管发射极(E)。

本实用新型再进一步的技术方案是：可以用N沟道场效应管替代P沟道场效应管4和P沟道场效应管6。这时，充电电源24与蓄电池25正常工作时的的极性均应反接，即充电电源24负极连接到端子1、充电电源24正极接地；蓄电池25负极连接到端子22，蓄电池25正极接地。

本实用新型更进一步的技术方案是：可以用NPN型晶体管替代N沟道场效应管，这时，连接到N沟道场效应管栅极(G)、漏极(D)和源极(S)的位置分别被NPN型晶体管基极(B)、集电极(C)和发射极(E)所一一对应替换。在NPN型晶体管内部没有集成续流二极管的，在替换使用时，每只NPN型晶体管集电极(C)和发射极(E)之间需要连接一只二极管，其正极连接NPN型晶体管发射极(E)，负极连接NPN型晶体管集电极(C)。