[实用新型]采用双向反接保护的蓄电池充电控制电路

权利要求书

1.一种采用双向反接保护的蓄电池充电控制电路，其特征是：由端子1、输入端子2、端子3、P沟道场效应管4、电阻5、P沟道场效应管6、二极管7、电阻8、电阻9、二极管10、电容11、电阻12、光电耦合器13、电阻14、光电耦合器15、电阻16、电容17、NPN晶体三极管18、电阻19、电容20、电阻21、端子22、端子23组成；

端子1分别与二极管7正极、P沟道场效应管4的源极(S)、电阻8连接，电阻8的另一端分别与P沟道场效应管4的栅极(G)、电阻14、P沟道场效应管6的栅极(G)、电阻9连接，电阻9的另一端分别与P沟道场效应管6的源极(S)、二极管10正极、端子22连接，电阻5的一端与P沟道场效应管4的漏极(D)连接，电阻5的另一端与P沟道场效应管6的漏极(D)连接，二极管7负极分别与电阻12、电容11连接，电阻12的另一端与光电耦合器13中的发光二极管正极连接，电容11的另一端接地，光电耦合器13中的发光二极管负极接地，光电耦合器13中的光敏三极管集电极与光电耦合器15中的光敏三极管发射极连接，光电耦合器13中的光敏三极管发射极与NPN晶体三极管18的集电极连接，NPN晶体三极管18的发射极接地，NPN晶体三极管18的基极分别与电阻19、电阻21连接，电阻21的另一端接地，电阻19的另一端与电容20连接并与输入端子2连接，电容20的另一端接地，光电耦合器15中的光敏三极管集电极与电阻14的另一端连接，二极管10负极分别与电阻16、电容17连接，电容17的另一端接地，电阻16的另一端与光电耦合器15中的发光二极管正极连接，光电耦合器15中的发光二极管负极接地，端子3和端子23接地。

2.根据权利要求1所述的一种采用双向反接保护的蓄电池充电控制电路，其特征是：可以用PNP型晶体管替代P沟道场效应管4和P沟道场效应管6，这时连接到P沟道场效应管栅极(G)、漏极(D)和源极(S)的位置分别被PNP型晶体管基极(B)、集电极(C)和发射极(E)所一一对应替换，在PNP型晶体管内部没有集成续流二极管的，在替换使用时，每只PNP型晶体管集电极(C)和发射极(E)之间需要连接一只二极管，其正极连接PNP型晶体管集电极(C)，负极连接PNP型晶体管发射极(E)。

3.根据权利要求1所述的一种采用双向反接保护的蓄电池充电控制电路，其特征是：可以用N沟道场效应管替代P沟道场效应管4和P沟道场效应管6，这时充电电源24与蓄电池25的正常工作极性均应反接，即充电电源24负极连接到端子1、充电电源24正极接地，蓄电池25负极连接到端子22，蓄电池25正极接地。

4.根据权利要求3所述的一种采用双向反接保护的蓄电池充电控制电路，其特征是：可以用NPN型晶体管替代N沟道场效应管，这时连接到N沟道场效应管栅极(G)、漏极(D)和源极(S)的位置分别被NPN型晶体管基极(B)、集电极(C)和发射极(E)所一一对应替换，在NPN型晶体管内部没有集成续流二极管的，在替换使用时，每只NPN型晶体管集电极(C)和发射极(E)之间需要连接一只二极管，其正极连接NPN型晶体管发射极(E)，负极连接NPN型晶体管集电极(C)。