[实用新型]一种RFID基站处理器无效
| 申请号： | 201020246119.4 | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN201733449U | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 何炜燊;刘维桂;江伏才 | 申请（专利权）人： | 东莞市依时利科技有限公司 |
| 主分类号： | H04W88/08 | 分类号： | H04W88/08;G06K7/00 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 梁永宏 |
| 地址： | 523010 广东省东莞市莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 rfid 基站 处理器 | ||
1.一种RFID基站处理器，其特征在于：包括用于整合视频信号和RFID信号的ARM处理器电路、用于采集视频信号的视频采集电路、用于采集RFID信号的RFID接口电路、无线传输电路，ARM处理器电路包括S3C6410芯片，视频采集电路的视频信号输出端与ARM处理器电路的视频信号输入端连接，RFID接口电路的RFID信号输出端与ARM处理器电路的RFID信号输入端连接，无线传输电路的无线信号输入端与ARM处理器电路的无线信号输出端连接。
2.根据权利要求1所述的一种RFID基站处理器，其特征在于：所述无线传输电路包括GPRS接口电路，GPRS接口电路包括SP3232芯片。
3.根据权利要求1所述的一种RFID基站处理器，其特征在于：所述无线传输电路包括WIFI电路，WIFI电路包括WM-G-MR-09芯片。
4.根据权利要求1所述的一种RFID基站处理器，其特征在于：所述ARM处理器电路包括第一DDR RAM电路和第二DDR RAM电路，第一DDRRAM电路和第二DDR RAM电路均包括K4X51163PC-LGC3芯片，第一DDRRAM电路、第二DDR RAM电路均与ARM处理器电路的存储接口连接。
5.根据权利要求1所述的一种RFID基站处理器，其特征在于：所述ARM处理器电路包括FLASH电路，FLASH电路包括K9LAG08U0M芯片，FLASH电路与ARM处理器电路的存储接口连接。
6.根据权利要求1所述的一种RFID基站处理器，其特征在于：所述ARM处理器电路包括第一接口电路、第二接口电路和第三接口电路，第一接口电路、第二接口电路和第三接口电路均包括CON 100端子。
7.根据权利要求1所述的一种RFID基站处理器，其特征在于：还包括以太网接口电路，以太网接口电路包括DM9000AE芯片，以太网接口电路与所述ARM处理器电路的以太网信号端连接。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的一种RFID基站处理器，其特征在于：还包括RFID阅读器电路，RFID阅读器电路包括NRF24LE1芯片，RFID阅读器电路的信号输出端与所述RFID接口电路的信号输入端连接。
9.根据权利要求8所述的一种RFID基站处理器，其特征在于：还包括电源电路，电源电路包括LM2676芯片，电源电路的电源输出端与所述ARM处理器电路的电源输入端、视频采集电路的电源输入端、RFID接口电路的电源输入端、无线传输电路的电源输入端、RFID阅读器电路的电源输入端连接。
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