[实用新型]半导体电子致冷装置专用圆柱形蒸发腔无效

专利信息
申请号: 201020243097.6 申请日: 2010-07-01
公开(公告)号: CN201697513U 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: 郭琛 申请(专利权)人: 郭琛
主分类号: F28D15/02 分类号: F28D15/02;F28D15/04
代理公司: 石家庄汇科专利商标事务所 13115 代理人: 王琪
地址: 050011 河北省石家庄市长安*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 半导体 电子 致冷 装置 专用 圆柱形 蒸发
【权利要求书】:

1.半导体电子致冷装置专用圆柱形蒸发腔,蒸发腔为与热管两端连通的中空结构,包括筒体(2)、与筒体(2)开口边沿一体化成型且沿其径向分布的凸沿(1),以及封装于筒体(2)开口表面的金属端盖(4);其特征在于所述的蒸发腔为一钢质且整体呈中空圆柱形的空腔结构。

2.根据权利要求1所述的半导体致冷装置专用圆柱形蒸发腔,其特征在于所述的蒸发腔的筒体(2)内表面间隙配合有丝网状吸液芯(5)。

3.根据权利要求2所述的半导体致冷装置专用圆柱形蒸发腔,其特征在于所述的网状吸液芯(5)采用具有毛细微隙结构的丝网制作。

4.根据权利要求1所述的半导体致冷装置专用圆柱形蒸发腔,其特征在于所述的金属端盖(4)上固定连接有输出管道(3),热管两端经输出管道(3)与蒸发腔内部连通。

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