[实用新型]多晶硅铸锭炉的气流控制装置

说明书

技术领域

本发明属于多晶硅铸锭炉技术领域，涉及一种多晶硅铸锭炉的气流控制装置。

背景技术

多晶硅原料通过定向凝固法制成多晶硅锭，通过剖方、切片制成太阳能电池片的方法已经逐渐成为电池片生产的主流。多晶铸锭具有高产能，低能耗，工艺便捷，性价比高等优势。但是和直拉单晶比较，定向凝固法的多晶铸锭还存在着不足之处，其中对铸锭影响最为严重的便是碳含量过高引起微晶及少子寿命下降，最终影响电池片的转换效率及使用寿命。

碳在熔体硅中的分凝系数约为0.07，直拉单晶在生产过程中，只要工艺控制合适，外界的碳杂质侵入硅熔体后，绝大多数都残留在坩埚底的熔硅当中，而硅晶体中碳含量能够保持在很低的数量级上。多晶铸锭则不同，由于整个铸锭工艺期内，硅都是保留在坩埚内，所以一旦外部侵入的碳及其它杂质过多，并达到一定浓度时，就会转变为SiC的形式，重新引起成核，直接导致了微晶现象，影响到铸锭及后续产品质量。

目前国际上对多晶铸锭中碳含量的要求愈来愈严格，而对于如何有效降低碳含量的研究也成为光伏行业中的一个重要课题。目前国际上有一些研究成果，例如在石英坩埚和石墨坩埚之间添加合适的涂层，使用表面颗粒挥发较小的碳材料保温层，选用其他非金属材料的保温层，增加熔硅的搅动促进硅液中杂质挥发，降低炉内压力氛围。这些方法有些卓有成效，但成本较高；有些虽然实施简便，但稳定性差，难以控制并保持工艺一致性。

可见，本领域内的技术人员没有考虑到多晶硅铸锭炉内的气流对整个铸锭工艺的影响。分析目前多晶铸锭中碳成分的来源，除了硅原料自身所含的C成分外，其余皆为外界热场中的挥发的反应物。其中最主要的物质交换过程都是由内部气流场作为载体进行的。在整个固液气三相转换中，绝大多数的碳都来自石英坩埚和石墨坩埚的反应式SiO2+C＝SiO+CO，然后通过物质交换，进入到硅熔体当中。由于碳杂质相对硅熔体来说是极稀溶液，远不能达到平衡态，碳一旦进入了硅熔体就很难再挥发出来。

普通的多晶硅铸锭炉包括炉体，在炉体内设置隔热笼，在隔热笼下方设置与隔热笼形成封闭腔体的隔热板，在隔热笼内设置加热器和坩埚，在隔热笼顶部中间处固接一根导气管，该导气管的另一端固接于炉体上，通过该导气管使隔热笼与外界相通。在隔热笼的顶部还设有出气口，该出气口位于加热器内侧，且接近导气管。对导气管通入气流所产生的气流场进行分析，见图1所示，该气流场使得含碳的气体都会在腔体内不断回流，气流所载杂质也会不断侵入硅熔体，降低了铸锭质量。

发明内容

本发明针对上述的问题，提供一种多晶硅铸锭炉的气流控制装置，以应用在当前所有多晶硅铸锭炉，通过对多晶硅铸锭炉内的气流进行控制，使得多晶铸锭中的碳含量能够得到有效地降低，提高了铸锭质量。

本发明通过下列技术方案来实现：一种多晶硅铸锭炉的气流控制装置，所述的多晶硅铸锭炉包括炉体和设置在炉体内的隔热笼，在隔热笼内设有加热器和坩埚，所述的隔热笼顶部设有导气管，其特征在于，导气管与隔热笼上下滑动连接，在炉体上设有升降结构，上述的导气管固接在升降结构上。

通过升降结构移动导气管后进行仿真计算，当导气管处于合适位置时，气流能够产生有效地分层，破坏气流在腔体内不断回流的状态，使得坩埚和隔热笼之间产生的反应气体难以侵入硅熔体，减少了气体杂质混入硅熔体。

在上述的多晶硅铸锭炉的气流控制装置中，所述的隔热笼顶部设有出气口，该出气口位于加热器外侧，且接近隔热笼侧壁。在气流产生分层后，气流的流向发生改变，将出气口设置在加热器的外侧，气流流出的效果最好。

在上述的多晶硅铸锭炉的气流控制装置中，所述的导气管的下端固接有气流导向罩。安装气流导向罩后，还能加强硅液表面的气体流动，随着导向罩的不断下降，硅液面处将不会有任何形式的回流产生，进一步减少了气体杂质混入硅熔体，而导向罩上侧的气流因导向罩的阻挡无法侵入硅液面。

在上述的多晶硅铸锭炉的气流控制装置中，所述的气流导向罩为无通孔的平板。

在上述的多晶硅铸锭炉的气流控制装置中，所述的导气管采用石墨材料制成。

在上述的多晶硅铸锭炉的气流控制装置中，所述的升降结构包括固定在炉体上的定位导轨，在定位导轨内设有密封波纹管，密封波纹管和导气管之间设有不锈钢导气管，不锈钢导气管的一端与密封波纹管固接，另一端与导气管周向转动连接，密封波纹管外套有连接在定位导轨上的锁定螺母，锁定螺母通过螺纹与密封波纹管连接。转动锁定螺母，由于锁定螺母只能转动无法上下移动，在螺纹的作用下，密封波纹管沿着定位导轨上升或者下降，密封波纹管通过不锈钢导气管带动导气管上升或者下降。