[实用新型]CCD装置辅助定位式晶圆加工用激光划片机有效

专利信息
申请号: 201020191876.6 申请日: 2010-05-17
公开(公告)号: CN201702514U 公开(公告)日: 2011-01-12
发明(设计)人: 金朝龙 申请(专利权)人: 苏州天弘激光股份有限公司
主分类号: B23K26/38 分类号: B23K26/38;B23K26/02;B23K26/42
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 陈忠辉;姚姣阳
地址: 215021 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: ccd 装置 辅助 定位 式晶圆加 工用 激光 划片
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种划片装置,尤其涉及一种CCD装置辅助定位式晶圆加工用激光划片机。

背景技术

随着信息化时代的到来,电子信息、通讯和半导体集成电路等行业得到迅猛发展,半导体晶圆的应用得到广泛应用,需求越来越大,晶圆切割划片不仅是芯片封装的核心关键工序之一,也是从圆片级的加工过渡为芯片级加工的地标性工序,晶圆制造技术和工艺对晶圆切割划片批量生产中的成品率要求越来越高,更提出了以下的技术要求:切割划片晶圆切割的崩边和破损的控制;应力残留的最小化以增强芯片机械强度;微缩切割道以提高昂贵的晶圆面积的利用率;更高的切割速度以提高产能和降低成本等挑战。

传统的旋转砂轮式切割技术在实际生产中存在巨大的困难和一定的工艺极限,并极大的限制了晶圆制造水平的发展。因此,这些旋转砂轮式切割工艺所伴生的问题是无法通过工艺自身的优化来完全解决的,亟需采取新的加工方式解决晶圆切割划片的瓶颈,业界迫切需要一种高精度、高品质及高效的加工方法来取代传统晶圆划片方法。同时传统机械式加工方法存在以下缺点:

1.传统刀片式划片给晶圆带来机械应力,在切割道周边形成微小裂纹,影响芯片的可靠性和寿命;

2.划片速度最大只能达到50mm/s,制约生产厂家的产能;

3.芯片会产生背崩及踏角等现象;

4.传统切割方式预留的切割沟道至少需要0.10mm,在原材料昂贵的条件下,降低了晶圆的在效使用面积;

5.切割用砂轮刀片最多只能切割5万道,刀片损坏随机出现,带来不可预见的切割质量问题;

6.更换刀片需要一定的成本,给企业带来经济压力;

7.切割过程中需要使用蓝膜及去离子水等耗材,增加了使用成本;

8.需要消耗更多的电能及切割过程中硅渣的排放,不利于环保。

总而言之,传统的机械切割机以及采用该机器的加工方法,因其技术难度大,制作精度高。并且,器件难以采购等原因,主要依赖于进口,价格昂贵,用户的服务也不能得到有效保障。

发明内容

本实用新型的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题,提供一种CCD装置辅助定位式晶圆加工用激光划片机。

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现:

CCD装置辅助定位式晶圆加工用激光划片机,包括有划片机本体,其中:所述的划片机本体上设有X/Y轴运动平台,所述的X/Y轴运动平台上设有θ轴旋转平台,正对θ轴旋转平台之上设有带聚焦镜的Z轴升降平台;所述聚焦镜顶部的对应位置处设有第一反射镜;正对第一反射镜的主工作面处设置有激光光路组件;所述第一反射镜的副工作面顶端设有第二反射镜,所述第二反射镜的反射面处设有CCD装置辅助定位组件。

上述的CCD装置辅助定位式晶圆加工用激光划片机,其中:所述的X/Y轴运动平台为磁悬浮叠加式运动平台,在X轴上与X轴垂直走向的方向上叠加有Y轴;或是在Y轴上与Y轴垂直走向的方向上叠加有X轴。

进一步地,上述的CCD装置辅助定位式晶圆加工用激光划片机,其中:所述的θ轴旋转平台上设有真空吸附平台。

更进一步地,上述的CCD装置辅助定位式晶圆加工用激光划片机,其中:所述的激光光路组件包括有半导体激光器,半导体激光器发射端设置有激光准直镜;所述激光准直镜正对第一反射镜的主工作面。

更进一步地,上述的CCD装置辅助定位式晶圆加工用激光划片机,其中:所述的半导体激光器为半导体红外激光器。

更进一步地,上述的CCD装置辅助定位式晶圆加工用激光划片机,其中:所述的CCD装置辅助定位组件包括有同轴CCD装置相机,所述同轴CCD装置相机的取景端设有成像镜头,成像镜头的工作面对应第二反射镜的反射面。

更进一步地,上述的CCD装置辅助定位式晶圆加工用激光划片机,其中:所述的成像镜头处设置有LED照明装置。

再进一步地,上述的,其中:所述的划片机本体上安装有同轴吹气装置和抽尘装置。

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