[实用新型]片式肖特基二极管有效
| 申请号： | 201020185433.6 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN201741701U | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王毅;殷俊;陈晓华 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 奚衡宝 |
| 地址： | 225008 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 片式肖特基 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.片式肖特基二极管，包括由重掺杂硅衬底及硅外延层构成的外延片、欧姆接触电极、周边围有P+环的势垒金属硅化物、势垒金属硅化物上的金属电极以及顶部钝化层，其特征是，所述欧姆接触电极为镀覆在重掺杂硅衬底底面的金层；所述的硅外延层厚度1-10μm。
2.根据权利要求1所述的片式肖特基二极管，其特征在于，所述钝化层包括钝化层一和钝化层二；钝化层二的底面接触硅外延层和P+环，侧面接触金属电极；钝化层一的底面接触钝化层二和金属电极。
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