[实用新型]大功率的横向结构LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型揭示大功率的横向结构LED芯片，属于光电子技术领域。

背景技术

半导体照明正快速的进入通用照明，目前的主要障碍是高成本，另外，扩展产能需要巨额资金。传统的横向结构半导体芯片的不足之处之一在于，不易向芯片输入大电流，产生电流拥塞(current crowding)。电流拥塞一方面降低芯片寿命，一方面降低芯片发光效率。然而，向芯片输入大电流是快速降低芯片成本、减少巨额投资的重要方法，需要能引入大电流的芯片。

本实用新型公开大功率的横向结构LED芯片。

实用新型内容

本实用新型公开的大功率的横向结构LED芯片，包括：生长衬底、半导体外延层、透明电极、钝化层、电极。其中，半导体外延层包括，N-类型限制层、活化层、P-类型限制层：N-类型限制层形成在生长衬底上，活化层形成在N-类型限制层上，P-类型限制层形成在活化层上。透明电极形成在P-类型限制层上。半导体外延层的预定的位置上形成至少一个半导体外延层半通槽，半导体外延层半通槽穿过透明电极、P-类型限制层和活化层，半导体外延层半通槽的底部是N-类型限制层。钝化层形成在透明电极上并且覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面。在钝化层的覆盖半导体外延层半通槽的底面的部分的预定的位置上形成至少一个N-半通槽，使得N-类型限制层在N-半通槽中暴露。在钝化层的预定的位置上形成至少一个P-半通槽，P-半通槽穿过钝化层，P-半通槽的底部是透明电极，使得透明电极在P-半通槽中暴露。电极包括，至少一个N-打线焊盘、至少一个P-打线焊盘、至少一个N-非有效条形电极、至少一个N-混合条形电极；至少一个P-非有效条形电极、至少一个P-混合条形电极。N-打线焊盘和P-打线焊盘分别形成在钝化层预定的位置上。N-非有效条形电极和P-非有效条形电极分别形成在钝化层预定的位置上。N-混合条形电极包括N-有效电极部分和N-非有效电极部分，N-非有效电极部分形成在钝化层上而不直接与N-类型限制层接触，电流不能通过N-非有效条形电极直接流向N-类型限制层。N-有效电极部分形成在N-半通槽中的暴露的N-类型限制层上。电流通过N-非有效电极部分流向N-有效电极部分，通过N-有效电极部分直接流向N-类型限制层。P-混合条形电极包括P-有效电极部分和P-非有效电极部分，P-非有效电极部分形成在钝化层上而不直接与透明电极接触，电流不能通过P-非有效条形电极直接流向透明电极和P-类型限制层，P-有效电极部分形成在P-半通槽的底部的暴露的透明电极上。电流通过P-非有效电极部分流向P-有效电极部分，通过P-有效电极部分直接流向透明电极和P-类型限制层。

其特征在于：(1)钝化层使得电流不能从N-和P-打线焊盘直接流向半导体外延层，不会在N-和P-打线焊盘的下方形成电流拥塞(current crowding)。(2)钝化层使得电流不能从N-和P-非有效条形电极与N-和P-混合条形电极的N-和P-非有效电极部分分别直接流向N-类型限制层和透明电极。(3)分别与N-和P-打线焊盘连接的N-和P-非有效条形电极在钝化层上延伸一段预定的距离后，分别与N-和P-混合条形电极的N-和P-非有效条形电极相连接，避免电流在打线焊盘附近形成电流拥塞。(4)电流从至少一个端点流入N-混合条形电极的N-有效电极部分，该端点称为N-有效电极部分的N-电流引入点。电流从N-电流引入点开始，向下流入N-类型限制层。电流从至少一个端点流入P-有效电极部分，该端点称为P-有效电极部分的P-电流引入点。电流从P-电流引入点开始，向下流入透明电极和P-类型限制层。每个N-和P-混合条形电极分别有至少一个电流引入点。(5)电极的设置是从一组设置中选出，该组设置包括，互相平行的多个N-有效电极部分和P-有效电极部分。

优选实施例：相邻的N-和P-混合条形电极基本上互相平行。

优选实施例：半导体外延层和透明电极之间形成反射层，反射层的位置、形状和尺寸分别与N-打线焊盘和P-打线焊盘相对应。

优选实施例：钝化层和透明电极之间形成反射层；反射层的位置、形状和尺寸分别与N-打线焊盘和P-打线焊盘相对应。

优选实施例：半导体外延层和透明电极之间形成反射层；反射层的位置、形状与尺寸分别与N-非有效条形电极和P-非有效条形电极相对应。

优选实施例：钝化层和透明电极之间形成反射层；反射层的位置、形状与尺寸分别与N-非有效条形电极和P-非有效条形电极相对应。