[实用新型]一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种功率模块，特别涉及一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构。

背景技术

目前，通常使用的功率模块结构主要是在一块陶瓷表面，以芯片为单位集成。这种功率模块加工难度较大，成本较高，且体积大，导致安装不方便。

目前，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金氧半场效晶体管(MOSFET)应用广泛。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种易加工、成本低、体积小的由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构，包括基板和铜箔电极，所述的基板上设有多个紧密排列连接在一起的单管，所述的铜箔电极覆盖在多个单管上，所述的铜箔电极上设有多个通孔，所述的每个单管的其中一脚均与基板连接，作为控制极的另一脚均穿过所述的通孔设置。

所述的基板为铜基电路板或铝基电路板。

所述的单管为IGBT单管或MOSFET单管。

所述的IGBT单管的下管E极与基板的电源负极相连接，所述的IGBT单管的上管C极与铜箔电极的电源正极相连接。

所述的MOSFET单管的源极与基板的电源负极相连接，所述的MOSFET单管的漏极与铜箔电极的电源正极相连接。

所述的铜箔电极上覆盖有电路控制板，所述的每个单管的穿过通孔设置的脚均与所述的电路控制板相连接。

所述的逆变模块中的半桥模块的公共端分别与基板的三相输出端的相应电极相连接。

所述的电路控制板为双面电路板。

所述的铜箔电极的一端伸出有固定板，所述的固定板通过螺栓与所述的基板的相应电极连接。

本实用新型采用上述结构，具有以下优点：1、该功率模块采用IGBT单管或MOSFET单管集成，加工简单，成本低，同时使用效果良好；2、体积小，便于安装维护。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明；

图1为本实用新型的剖视结构示意图；

图2为本实用新型中基板与多个紧密排列的单管相连接的结构示意图；

图3为本实用新型中铜箔电极的结构示意图；

在图1～图3中，1、基板；2、铜箔电极；3、单管；4、电路控制板；5、固定板。

具体实施方式

如图1～图3所示一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构，包括基板1和铜箔电极2，基板1上设有多个紧密排列连接在一起的单管3，单管3可根据实际的应用需求连接，各单管3利用有限的空间，最大限度地紧密排列，从而缩小整个模块的体积。多个单管3的排列结构可为：排六列，每列5个单管；或者排六列，每列3个单管。每一组并联的单管3的控制极均接有平衡网络。

铜箔电极2覆盖在多个单管3上，铜箔电极2上设有多个通孔，每个单管3的其中一脚均与基板1连接，作为控制极的另一脚均穿过通孔设置。基板1为铜基电路板或铝基电路板。单管3为IGBT单管或MOSFET单管。

采用IGBT单管时，IGBT单管的下管E极与基板1的电源负极相连接，IGBT单管的上管C极与铜箔电极2的电源正极相连接。

采用MOSFET单管时，MOSFET单管的源极与基板1的电源负极相连接，MOSFET单管的漏极与铜箔电极2的电源正极相连接。

逆变模块中的半桥模块为三个，半桥模块的公共端分别与基板(1)的三相输出端的相应电极相连接。

电路控制板4为双面电路板。铜箔电极2上覆盖有电路控制板4，每个单管3的穿过通孔设置的脚均与电路控制板4相连接。电路控制板4可起到平衡控制的作用。铜箔电极2的一端伸出有固定板5，固定板5通过螺栓与基板1的相应电极连接。铜箔电极2起到过电流的目的，减少单管3之间的导线。上述结构组成整个功率模块。

上面结合附图对本实用新型进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。