[实用新型]一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构无效
申请号: | 201020164166.4 | 申请日: | 2010-04-20 |
公开(公告)号: | CN201898453U | 公开(公告)日: | 2011-07-13 |
发明(设计)人: | 杨振军;宋满星;张天鄂 | 申请(专利权)人: | 芜湖莫森泰克汽车科技有限公司;奇瑞汽车股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/48 | 分类号: | H02M7/48;H01L23/48 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 蒋光恩 |
地址: | 241009 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率管 集成 三相 全桥逆变 模块 结构 | ||
1.一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构,其特征在于:包括基板(1)和铜箔电极(2),所述的基板(1)上设有多个紧密排列连接在一起的单管(3),所述的铜箔电极(2)覆盖在多个单管(3)上,所述的铜箔电极(2)上设有多个通孔,所述的每个单管(3)的其中一脚均与基板(1)连接,作为控制极的另一脚均穿过所述的通孔设置。
2.根据权利要求1所述的一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构,其特征在于:所述的基板(1)为铜基电路板或铝基电路板。
3.根据权利要求1所述的一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构,其特征在于:所述的单管(3)为IGBT单管或MOSFET单管。
4.根据权利要求3所述的一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构,其特征在于:所述的IGBT单管的下管E极与基板(1)的电源负极相连接,所述的IGBT单管的上管C极与铜箔电极(2)的电源正极相连接。
5.根据权利要求3所述的一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构,其特征在于:所述的MOSFET单管的源极与基板(1)的电源负极相连接,所述的MOSFET单管的漏极与铜箔电极(2)的电源正极相连接。
6.根据权利要求1所述的一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构,其特征在于:所述的铜箔电极(2)上覆盖有电路控制板(4),所述的每个单管(3)的穿过通孔设置的脚均与所述的电路控制板(4)相连接。
7.根据权利要求1所述的一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构,其特征在于:所述的逆变模块中的半桥模块的公共端分别与基板(1)的三相输出端的相应电极相连接。
8.根据权利要求6所述的一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构, 其特征在于:所述的电路控制板(4)为双面电路板。
9.根据权利要求1所述的一种由单管功率管集成的三相全桥逆变模块结构,其特征在于:所述的铜箔电极(2)的一端伸出有固定板(5),所述的固定板(5)通过螺栓与所述的基板(1)的相应电极连接。
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