[实用新型]发光二极管改良结构

说明书

技术领域

本实用新型是关于一种发光二极管改良结构，特别是指一种增设有稳压二极管(Zener diodes，又称齐纳二极管)以达到静电放电防护功能的发光二极管改良结构。

背景技术

由于发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有体积小、耗电低以及寿命长...等优点，因此目前已广泛应用于家电、车辆、计算机外设产品、通讯产品以及照明产品...等上，发光二极管已然成为新世代的光源，其重要性不言可喻。

然而，发光二极管却很容易在制造或使用过程中受到静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)的影响而损坏。

为了解决上述的静电放电问题，已有利用稳压二极管(Zener diode，又称齐纳二极管)电性连接于发光二极管上的解决方案，如下。

请参阅图1所示已知的发光二极管1，具有一承座11，该承座11则由基板(包含第一、二基板电极111、112)以及形成于该基板上的反射杯113所组成，第一基板电极111、第二基板电极112以及反射杯113之间则通过铝阳极化膜13来彼此分隔。两个后电极12a、12b分别形成于该承座11的底侧，且分别电性连接至第一和第二基板电极111、112。发光芯片14和稳压二极管15则分别设置在第一基板电极111和第二基板电极112上，以保护发光芯片14免于受到静电放电影响。至于透镜16配置于反射杯113上，以聚集发光芯片14所发出的光。但是，此等方案一却因为增设了稳压二极管15，反而造成发光芯片14所发出的光会被稳压二极管15给吸收掉约20％的重大缺失。

因此，如何设计出一种能既能利用稳压二极管来保护发光芯片免于受到静电放电影响，又能将光被稳压二极管吸收掉的比例给降至最低(相对而言就提高了发光芯片的亮度)，乃为本案实用新型人所企欲解决的一大课题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种发光二极管改良结构，通过将稳压二极管给埋入于承座内，以大幅降低稳压二极管吸收发光芯片的光的比例，相对而言乃提升发光芯片的亮度，从而既能使用稳压二极管来达到静电放电防护功能，又能大幅降低稳压二极管吸收发光芯片的光的比例。

为达上述目的，本实用新型提供一种发光二极管改良结构，包括：一承座、一第一导电架、一第二导电架、一发光芯片、一绝缘胶以及一稳压二极管。该承座具有一基底和一形成于该基底上的反射杯，该基底的内底面设有一第一凹部和一第二凹部；该第一导电架设置于该第一凹部内；该第二导电架设置于该第二凹部内；该绝缘胶设置于该第二凹部内的内底面上；该发光芯片设置于该第一导电架上，该发光芯片的两电极分别与第一、二导电架电性连接在一起；该稳压二极管设置于该绝缘胶上，且该稳压二极管的两电极分别与第一、二导电架电性连接在一起。

藉以，本实用新型的有益效果在于：使稳压二极管等同被埋入于承座的第二凹部内，而既能利用稳压二极管来保护发光芯片免于受到静电放电影响，又能将光被稳压二极管吸收掉的比例给降至最低。

为了能够更进一步了解本实用新型的特征、特点和技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，惟所附图式仅提供参考与说明用，非用以限制本实用新型。

附图说明

图1为已知发光二极管的剖面图。

图2为本实用新型发光二极管第一实施例的剖面图。

图3为本实用新型发光二极管第二实施例的剖面图。

图3A为本实用新型发光二极管第三实施例的剖面图。

图4为本实用新型发光二极管第四实施例的剖面图。

【主要元件符号说明】

1、发光二极管

11、承座

111、第一基板电极    112、第二基板电极

113、反射杯

12a、后电极          12b、后电极

13、铝阳极化膜

14、发光芯片

15、稳压二极管

16、透镜

200、发光二极管

2、承座

21、基底             210、内底面

211、第一凹部        212、第二凹部

213、分隔体          214、第三凹部

215、凸体

22、反射杯

23、荧光层           24、荧光胶

3、第一导电架

4、第二导电架

5、发光芯片

51、第一导线         52、第二导线

6、绝缘胶