[实用新型]发光二极管改良结构有效
申请号: | 201020110894.7 | 申请日: | 2010-01-29 |
公开(公告)号: | CN201655839U | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 陈东安;吴东璟;张智超;陈松升;李军明;蔡易祐 | 申请(专利权)人: | 东贝光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 改良 结构 | ||
1.一种发光二极管改良结构,其特征在于,包括:
一承座,具有一基底和一形成于该基底上的反射杯,该基底的内底面设有一第一凹部和一第二凹部;
一第一导电架,设置于该第一凹部内;
一第二导电架,设置于该第二凹部内;
一绝缘胶,设置于该第二凹部内的内底面上;
一发光芯片,设置于该第一导电架上,该发光芯片的两电极分别与第一、二导电架电性连接在一起;以及
一稳压二极管,设置于该绝缘胶上,该稳压二极管的两电极分别与第一、二导电架电性连接在一起。
2.根据权利要求1所述的发光二极管改良结构,其特征在于,该承座的反射杯内进一步封装有一荧光层。
3.根据权利要求1所述的发光二极管改良结构,其特征在于,该承座的第一、二凹部之间形成有一分隔体。
4.根据权利要求3所述的发光二极管改良结构,其特征在于,该绝缘胶设置于该分隔体与第二导电架之间的第二凹部的内底面上。
5.根据权利要求1所述的发光二极管改良结构,其特征在于,该发光芯片为蓝光芯片。
6.根据权利要求1所述的发光二极管改良结构,其特征在于,该承座为聚对苯二酰对苯二胺材质、聚酰胺材质、和液晶树脂材质的其中之一。
7.根据权利要求1所述的发光二极管改良结构,其特征在于,该承座的第二凹部内进一步设有一第三凹部,该第三凹部所凹入于内底面的深度大于该第二凹部的凹入深度,该绝缘胶则设置于该第三凹部内的内底面上。
8.根据权利要求7所述的发光二极管改良结构,其特征在于,该承座的反射杯内填满荧光胶。
9.根据权利要求7所述的发光二极管改良结构,其特征在于,该第三凹部内填满白胶,该白胶包覆住该绝缘胶和稳压二极管。
10.根据权利要求9所述的发光二极管改良结构,其特征在于,该承座的第一、三凹部之间形成有一分隔体,该白胶填入于该分隔体与该第二导电架之间的第三凹部内。
11.根据权利要求9所述的发光二极管改良结构,其特征在于,该承座的反射杯内填满荧光胶。
12.根据权利要求1所述的发光二极管改良结构,其特征在于,该承座的基底形成有一凸体,该凸体遮挡于该稳压二极管与该第二导电架之间。
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