[实用新型]磁控溅射装置组合单元有效

专利信息
申请号: 201020056712.2 申请日: 2010-01-19
公开(公告)号: CN201704400U 公开(公告)日: 2011-01-12
发明(设计)人: 王金林;陆卫;季亚林;徐军 申请(专利权)人: 广东中航特种玻璃技术有限公司;中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所 44248 代理人: 胡吉科
地址: 516083 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 磁控溅射 装置 组合 单元
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种真空磁控溅射装置组合单元,特别是关于一种用于真空磁控溅射镀膜设备上磁控溅射装置组合单元。

背景技术

目前国内外的一些玻璃镀膜生产线中溅射区一般都采用以下两种单元方案:

第一种:若通入的工艺气体不同,将以下的单元按照顺序连接:磁控溅射阴极单元、分子泵单元、分子泵单元、磁控溅射阴极单元。

第二种:若通入的工艺气体相同,所述的单元的顺序为:磁控溅射阴极单元、分子泵单元、磁控溅射阴极单元。

以上第一种方案,若玻璃上镀层需要阴极靶材与工艺气体发生反应溅射,为了镀两层膜就需要四个单元,如图1所示,两侧的阴极单元所通的工艺气体不同,单元1所通的工艺气体为A,单元4所通的工艺气体为B,其工作原理为:为了充分反应阴极中的靶材,一般都会通入过量的气体,所以通常就会在两个阴极单元的中间装有两个单元用来装分子泵以便抽走过量的工艺气体,其中分子泵6、7抽走了大多数多余的工艺气体,称其为工艺泵。而由于还有一部分工艺气体穿过单元,沿着玻璃辊轮10朝另一侧阴极运动,若工艺气体A沿着辊轮继续运动到单元4侧,进入单元4,这样使玻璃通过阴极5后其溅射沉积的并不是预期所要求的膜层及工艺效果,将会给玻璃后期的钢化,外观等工艺加工带来一系列的问题。所以为了避免这种情况的发生会在单元2、单元3里装有分子泵8、9,用来二次抽走多余的工艺气体,它们具有隔离的作用,所以称其为隔离分子泵。所以一般的真空镀膜设备在镀两层膜时需要四个单元。

如图2所示,而第二种方案,两侧的阴极单元通入了相同的工艺气体,此时为了镀两层膜也要三个单元。单元1和单元3为阴极单元,中间的单元2为分子泵单元,这种结构为现有的一般镀膜设备常用的单元组合结构,因为产品性能要求,两侧采用了相同的工艺气体,所以不存在工艺气体穿过阴极单元沿着玻璃辊轮10朝着另一侧阴极单元运动而引发玻璃后制程工艺加工问题。与上述第一种方案不同的是,此时不需要再有隔离分子泵了,工艺气体C通过单元1或单元3,与阴极4或阴极5上面的靶材经过一个镀膜溅射沉积工艺后,过量的工艺气体C被工艺分子泵6或7抽走。

然而因为一条镀膜生产线一旦固定下来,其腔体单元数量就已经确定不好再更改了,而随着人们对镀膜玻璃的性能要求越来越高,镀膜的层数也在随之增加,这样就引出一个问题,那就是现有镀膜设备的单元数不够满足多层镀膜,而继续购买设备那将意味着更高的生产成本。

实用新型内容

为了克服上述现有技术的不足,本实用新型提供一种成本低效率高的磁控溅射装置组合单元。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种磁控溅射装置组合单元,包括阴极,分子泵以及导流罩,所述的分子泵设置在导流罩内,所述的分子泵与阴极并列设置。

本实用新型解决进一步技术问题的方案是:所述的分子泵数量为2个。

本实用新型解决进一步技术问题的方案是:所述的阴极以及分子泵以溅射传送方向依次设置。

本实用新型解决进一步技术问题的方案是:所述的分子泵以及阴极以溅射传送方向依次设置。

相较于现有技术,本实用新型的磁控溅射装置组合单元通过将阴极和分子泵设置在一个单元里,节约了镀膜设备中的单元数量,而又达到了同样的工艺效果,这样对所有因设备单元数量有限而使多层镀膜受限制提供了一个很好的解决方案,在不增加设备购买以及满足产品性能要求的情况下,可以继续放置更多的阴极进行多层镀膜,从而大大的节约了生产成本,提高了生产效率。

附图说明

图1至图2是现有技术中的磁控溅射装置组合单元的结构示意图。

图3是本实用新型的磁控溅射装置组合单元的结构示意图。

图4是本实用新型的磁控溅射装置组合单元用于镀膜设备针对不同工艺气体的示意图。

图5是本实用新型的磁控溅射装置组合单元用于镀膜设备针对相同工艺气体的示意图。

具体实施方式

以下内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。

请参照图3,所述的磁控溅射装置组合单元100包括阴极1,分子泵2以及导流罩3,所述的分子泵设置在导流罩3内,所述的分子泵与阴极并列设置。

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