[实用新型]碳化硅宽带高功率放大器装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子对抗通信领域中的一种宽带高功率放大器装置，特别适用于恶劣工作环境下的电子对抗系统中作高频、高功率、高可靠性固态功率放大器。

技术背景

宽带高功率技术应用已成为现代通信对抗的关键技术，即使接收机性能再好，能准确跟踪瞄准目标，但最终干扰效果的实现还须依赖于发出的大功率信号来压制，其重要性不言而喻。

碳化硅(SiC)半导体材料具有宽带隙、高饱和漂移速度、高热导率、高临界击穿电场等突出优点，特别适合制作大功率、高压、高温、抗辐照电子器件。用宽禁带半导体制成的高温、高频、大功率微波器件可以明显改善雷达、电子对抗系统以及通信系统等众多电子信息系统的性能。如何采用宽禁带半导体SiC功率器件，开发微波频带的大功率宽带固态放大器装置已成为目前工程应用中迫切解决的关键技术。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于避免上述背景技术中的不足之处而提供一种宽频带，高功率、高温、抗辐射的固态高频功率放大器，利用第三半导体材料SiC宽禁带功率器件，实现宽带、高功率的目的，本实用新型还具有高效散热结构、完善的控制保护、异常情况下功率降额使用等特点。

本实用新型的目的是这样实现的：

它包括第一、第二电源1-1、1-2、电流抽样电路2、控制保护电路3、电调衰减器4、放大模块5、耦合器6、检波器7、温度继电器8，所述的第一电源1-1和第二电源1-2各电源入端与交流220V电源连接，各电源输出端分别与电流抽样电路2和控制保护电路3各电源入端连接，电流抽样电路2的电压输出端与放大模块5的电源入端连接，温度继电器8控制出端与控制保护电路3温度控制输入端连接，控制保护电路3控制输出端连接放大模块5的控制输入端，控制保护电路3增益控制输出端连接电调衰减器4的控制端口；电调衰减器4输入端口与信号输入端口A连接，电调衰减器4出端口与放大模块5入端口连接，放大模块出5端口与耦合器6入端口连接，耦合器6的前向耦合输出端口及反向耦合输出端口分别连接第一、第二检波器7-1、7-2的输入端口，第一、第二检波器7-1、7-2的输出端口分别连接控制保护电路3输入端口，耦合器6出端口与功率输出端口B连接。

本实用新型放大模块5包括第一级功率放大芯片9、第二级功率放大芯片10、第三级功率放大芯片11、第四级功率放大芯片12、第一至第三90度分路器13-1、13-2、13-3、第一至第三90度合路器15-1、15-2、15-3、第五至第八功率放大芯片14-1至14-4、第一至第六控制器16-1至16-6；所述的第一级功率放大芯片9入端1脚与电调衰减器4输出端口连接，第一级功率放大芯片9出端2脚依次串接第二级功率放大器芯片10、第三级功率放大芯片11、第四级功率放大芯片12入出端1、2脚后与第一90度分路器13-1的入端1脚连接，第一90度分路器13-1的出端脚2、3脚分别与第二90度分路器13-2、第三90度分路器13-3的各入端1脚连接，第二90度分路器13-2第三90度分路器13-2各出端2、3脚分别与第五至第八功率放大芯片14-1至14-4各入端1脚连接，第五、第六功率放大芯片14-1、14-2各出端2脚分别与第一90度合路器15-1的2、3脚连接，第七、第八功率放大芯片14-3、14-4各出端2脚分别与第二90度合路器15-2的2、3脚连接，第一、第二90度合路器15-1、15-2各出端1脚分别与第三90度合路器15-3的入端2、3脚连接，第三90度合路器的出端1脚与耦合器6的入端口连接，第一至第四控制器16-1至16-4的出端1脚分别连接第一级至第四级功率放大芯片9至12入端3脚，第一至第四控制器16-1至16-4的各出端2脚与电流抽样电路2的入端口连接，各入端3脚与控制保护电路3出端口连接，第五、第六控制器16-5、16-6的各出端1脚分别连接第五至第八功率放大芯片14-1、14-4入端3脚，第五第、六控制器16-5、16-6的各出端2脚与电流抽样电路2的入端口连接，各入端3脚与控制保护电路3出端口连接。

本实用新型相比背景技术具有如下优点：

1.本实用新型放大模块5采用90度分路器进行功率合成，满足频带宽，功率大的要求；采用宽禁带材料SiC功率器件，更适应高温、恶劣环境下工作。

2.本实用新型采用电流抽样电路2、控制保护电路3进行可靠性设计，因此具有完善的控制和保护功能，性能稳定可靠。

3.本实用新型采用电路简单、性能可靠、成本低，在工程中具有推广应用价值。

附图说明

图1是本实用新型电原理方框图。