[实用新型]碳化硅宽带高功率放大器装置

权利要求书

1.一种碳化硅宽带高功率放大器装置，它包括第一、第二电源(1-1、1-2)、电流抽样电路(2)、控制保护电路(3)、电调衰减器(4)、耦合器(6)、检波器(7)、温度继电器(8)，其特征在于：还包括放大模块(5)，所述的第一电源(1-1)和第二电源(1-2)各电源入端与交流220V电源连接，各电源输出端分别与电流抽样电路(2)和控制保护电路(3)各电源入端连接，电流抽样电路(2)的电压输出端与放大模块(5)的电源入端连接，温度继电器(8)控制出端与控制保护电路(3)温度控制输入端连接，控制保护电路(3)控制输出端连接放大模块(5)的控制输入端，控制保护电路(3)增益控制输出端连接电调衰减器(4)的控制端口；电调衰减器(4)输入端口与信号输入端口A连接，电调衰减器(4)出端口与放大模块(5)入端口连接，放大模块出(5)端口与耦合器(6)入端口连接，耦合器(6)的前向耦合输出端口及反向耦合输出端口分别连接第一、第二检波器(7-1、7-2)的输入端口，第一、第二检波器(7-1、7-2)的输出端口分别连接控制保护电路(3)输入端口，耦合器(6)出端口与功率输出端口B连接。

2.根据权利要求1所述的碳化硅宽带高功率放大器装置，其特征在于：放大模块(5)包括第一级功率放大芯片(9)、第二级功率放大芯片(10)、第三级功率放大芯片(11)、第四级功率放大芯片(12)、第一至第三90度分路器(13-1、13-2、13-3)、第一至第三90度合路器(15-1、15-2、15-3)、第五至第八功率放大芯片(14-1至14-4)、第一至第六控制器(16-1至16-6)；所述的第一级功率放大芯片(9)入端1脚与电调衰减器(4)输出端口连接，第一级功率放大芯片(9)出端2脚依次串接第二级功率放大器芯片(10)、第三级功率放大芯片(11)、第四级功率放大芯片(12)入出端1、2脚后与第一90度分路器(13-1)的入端1脚连接，第一90度分路器(13-1)的出端脚2、3脚分别与第90度分路器(13-2)、第三90度分路器(13-3)的各入端1脚连接，第二90度分路器(13-2)第三90度分路器(13-2)各出端2、3脚分别与第五至第八功率放大芯片(14-1至14-4)各入端1脚连接，第五、第六功率放大芯片(14-1、14-2)各出端2脚分别与第一90度合路器(15-1)的2、3脚连接，第七、第八功率放大芯片(14-3、14-4)各出端2脚分别与第二90度合路器(15-2)的2、3脚连接，第一、第90度合路器(15-1、15-2)各出端1脚分别与第三90度合路器(15-3)的入端2、3脚连接，第三90度合路器的出端1脚与耦合器(6)的入端口连接，第一至第四控制器(16-1至16-4)的出端1脚分别连接第一级至第四级功率放大芯片(9至12)入端3脚，第一至第四控制器(16-1至16-4)的各出端2脚与电流抽样电路(2)的入端口连接，各入端3脚与控制保护电路(3)出端口连接，第五、第六控制器(16-5、16-6)的各出端1脚分别连接第五至第八功率放大芯片(14-1、14-4)入端3脚，第五第、六控制器(16-5、16-6)的各出端2脚与电流抽样电路(2)的入端口连接，各入端3脚与控制保护电路(3)出端口连接。