[发明专利]集成电路装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010624051.3 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102254900A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 姚欣洁;王宪程;黄建凯;陈俊光 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种集成电路装置，其特征在于，包含：
一半导体基材，具有一对位区域；
一对位特征，位于该半导体基材的该对位区域中；以及
一虚拟特征，设置在该对位特征之内，其中该虚拟特征的一尺寸小于一对位标记侦测器的一分辨率。
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，该对位特征是一重叠标记，该重叠标记是一盒中盒对位图案的一外盒。
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，还包含：
该基材的一装置区域；以及
一装置特征，位于该基材的该装置区域中。
4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，该虚拟特征的该尺寸是该虚拟特征的一宽度，该宽度小于约100纳米且大于约36纳米。
5.一种集成电路装置，其特征在于，包含：
一半导体基材；
数个第一栅极堆叠，设置在该半导体基材之上，其中该些第一栅极堆叠是配置做为具有一开口区域的一对位标记；以及
一次分辨率特征，设置在该对位标记的该开口区域之内的该半导体基材之上。
6.根据权利要求5所述的集成电路装置，其特征在于，该对位标记是一重叠标记，该重叠标记是一盒中盒对位图案的一外盒。
7.根据权利要求5所述的集成电路装置，其特征在于，还包含一半导体装置，其中该半导体装置具有设置在该半导体基材之上的一第二栅极堆叠。
8.一种集成电路装置的制造方法，其特征在于，包含：
提供一基材，其中该基材具有一对位区域；
形成一对位特征，其中该对位特征是位于该基材的该对位区域中；以及
形成一虚拟特征，其中该虚拟特征是位于该基材的该对位区域中，且使得该虚拟特征形成在该对位特征之内，且该虚拟特征的一尺寸小于一对位标记侦测器的一分辨率。
9.根据权利要求8所述的集成电路装置的制造方法，其特征在于，形成该对位特征的步骤包含在该基材之上的一材料层之中形成一盒中盒对位图案的一外盒；
其中形成该虚拟特征，使得该虚拟特征形成在该对位特征之内的步骤包含：
形成该虚拟特征于该外盒的一开口区域中。
10.根据权利要求8所述的集成电路装置的制造方法，其特征在于，还包含形成一半导体装置于该基材的一装置区域中。
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