[发明专利]基板处理装置及真空进片装置有效
| 申请号： | 201010623343.5 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102163570A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 冈部星儿;锅山裕树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/683;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;舒艳君 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 真空 | ||
1.一种真空进片装置，其连接于减压环境和大气压环境之间，调整内部压力而在所述减压环境和所述大气压环境之间搬送基板，所述真空进片装置的特征在于，具备：
基板收存室，其能够将内部压力切换为所述减压环境和所述大气压环境；
缓冲用载置台，其设置于所述基板收存室内，临时载置收存的基板，
所述缓冲用载置台由一个或多个缓冲部件构成，所述缓冲部件构成为：其内部设置为中空并保持气密。
2.根据权利要求1所述的真空进片装置，其特征在于，
所述缓冲部件的内部是大气压环境。
3.根据权利要求1所述的真空进片装置，其特征在于，
所述缓冲部件的内部是减压环境。
4.根据权利要求3所述的真空进片装置，其特征在于，
所述缓冲部件具备对其内部进行气密密封的密封插塞。
5.根据权利要求2或3所述的真空进片装置，其特征在于，
所述缓冲部件具备防止气体从其外部向内部流动的止回阀。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的真空进片装置，其特征在于，
所述缓冲部件包括：
中空的管部件；
对所述管部件的两个开放端进行气密闭塞的板。
7.根据权利要求6所述的真空进片装置，其特征在于，
所述缓冲用载置台由隔开规定的间隔配置的所述多个缓冲部件构成。
8.根据权利要求6所述的真空进片装置，其特征在于，
所述缓冲用载置台包括以邻接设置的所述多个缓冲部件为一组而隔开规定的间隔配置多组的结构。
9.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
在减压环境下对基板实施规定处理的一个或多个腔室；
与所述腔室连接，在减压环境下与所述腔室进行基板的交接的搬送室；
保持为大气压环境，用于搬入及搬出所述基板的搬入搬出部；以及
所述权利要求1至8中任一项所述的真空进片装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
