[发明专利]使用自适应编程验证方案的闪速存储器件和相关操作方法

权利要求书

1.一种对闪速存储器件编程的方法，包括：

对选定的存储单元编程；

执行验证操作，以确定选定的存储单元的阈值电压是否达到了与目标编程状态相对应的验证电平；

根据与检测选定的存储单元中的初始合格比特相关联的参数，确定针对至少一个目标编程状态的验证起始点；和

根据与检测将多个选定的存储单元成功编程为最低的目标编程状态相关联的参数，确定针对至少一个目标编程状态的验证结束点。

2.根据权利要求1所述的方法，其中与检测初始合格比特相关联的参数是：在检测到初始合格比特的编程循环中，用于对选定的存储单元编程的编程电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其中验证起始点是验证起始循环。

4.根据权利要求1所述的方法，其中验证起始点根据与初始编程状态相对应的第一阈值电压分布和与所述至少一个目标编程状态相对应的第二阈值电压分布之间的裕度而变化。

5.根据权利要求4所述的方法，其中验证起始点根据第一和第二阈值电压分布是否重叠而变化。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在第一和第二阈值电压分布重叠的情况下，提高验证起始点。

7.根据权利要求5所述的方法，其中在第一和第二阈值电压分布不重叠的情况下，降低验证起始点。

8.根据权利要求1所述的方法，其中与检测将多个选定的存储单元成功编程为最低的目标编程状态相关联的参数包括：在检测到所述多个选定的存储单元被成功编程为所述最低的目标编程状态的编程循环中使用的编程电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其中确定验证结束点包括：预测针对至少一个目标编程状态的合格点，以及从预测的合格点减去偏移值。

10.根据权利要求9所述的方法，其中从多个目标编程状态的预测的合格点减去相同的偏移值，以确定针对所述多个目标编程状态的验证结束点。