[发明专利]驱动电路和显示设备

说明书

技术领域

本发明涉及可适用于使用例如有机电致发光(EL)元件的显示设备的驱动电路。本发明还涉及具有驱动电路的显示设备。

背景技术

近年来，在显示图像的显示设备的领域中，已经开发出使用电流驱动型光学元件(其发光亮度(intensity)根据流动电流的值而变化，例如有机EL元件)作为发光元件的显示设备，并且其商业化过程正在进行中。与液晶设备等相反，有机EL元件是自发光元件。因此，在使用有机EL元件的显示设备(有机EL显示设备)中，颜色的渐变是通过控制在有机EL元件中流动的电流的值来实现的。

作为有机EL显示设备中的驱动系统，与液晶显示器一样，存在简单(被动式)矩阵系统和主动式矩阵系统。前者在结构上简单，但是例如有难以实现大型高清晰度显示设备的问题。因此，当前对主动式矩阵系统的开发很活跃。在该系统中，在为每个像素布置的发光元件中流动的电流是由驱动晶体管控制的。

在上述驱动晶体管中，存在一种情况，其中阈值电压V_th或者迁移率(mobility)μ随着时间过去而变化，或者由于制造过程的变化因像素而异。当阈值电压V_th或者迁移率μ因像素而异时，在驱动晶体管中流动的电流的值因像素而异，因而即使当相同电压被施加于驱动晶体管的栅极时，有机EL元件的发光亮度也不同并且画面的均一性受到损害。因此，已经开发出一种显示设备，其中包含有用于处理阈值电压V_th或者迁移率μ的变化的校正功能(例如见日本未审查专利申请公开No.2008-083272)。

用来处理阈值电压V_th或者迁移率μ的变化的校正是由为每个像素设置的像素电路执行的。如例如图20所示，该像素电路包括：控制在有机EL元件111中流动的电流的驱动晶体管Tr₁、将信号线DTL的电压写入驱动晶体管Tr₁的写入晶体管Tr₂以及保持电容Cs，因而该像素电路具有2Tr1C电路配置。驱动晶体管Tr₁和写入晶体管Tr₂各自例如由n沟道MOS薄膜晶体管(TFT)构成。

图19图示出被应用于像素电路的电压的波形示例以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压中的每一个的变化的示例。在图19的(A)部分中，示出了如下状态，其中信号电压V_sig和偏移电压V_ofs被应用于信号线DTL。在图19的(B)部分中，示出了如下状态，其中用于导通驱动晶体管的电压V_dd和用于关断驱动晶体管的电压V_ss被应用于写入线WSL。在图19的(C)部分中，示出了如下状态，其中高电压V_ccH和低电压V_ccL被应用于电源线PSL。另外，在图19的(D)和(E)部分中，示出了如下状态，其中驱动晶体管Tr₁的栅极电压V_g和源极电压V_s响应于向电源线PSL、信号线DTL和写入线WSL应用电压而随着时间发生变化。

从图19中发现，WS脉冲P1在1H内被施加于写入线WSL两次，阈值校正是由第一WS脉冲P1执行的，并且迁移率校正和信号写入是由第二WS脉冲P1执行的。换言之，在图19中，WS脉冲P1不仅用于信号写入，而且用于驱动晶体管T_r1的阈值校正和迁移率校正。

下面将描述对驱动晶体管T_r1的阈值校正和迁移率校正。通过应用第二WS脉冲P1，信号电压V_sig被写入驱动晶体管T_r1的栅极。结果，驱动晶体管T_r1被导通并且电流在驱动晶体管T_r1中流动。此时，当反相偏置被应用于有机EL元件111时，从驱动晶体管T_r1中流出的电荷填充保持电容Cs和有机EL元件111的元件电容(未示出)，从而导致源极电压V_s的上升。当驱动晶体管T_r1的迁移率高时，驱动晶体管T_r1中流动的电流大，并且源极电压V_s因而快速上升。相反，当驱动晶体管T_r1的迁移率低时，驱动晶体管T_r1中流动的电流小，源极电压V_s因而与驱动晶体管T_r1的迁移率高时相比上升得更慢。因此，可能可以通过调节用于校正迁移率的时间段来校正迁移率。