[发明专利]镀膜件及其制备方法无效
| 申请号: | 201010618079.6 | 申请日: | 2010-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN102534528A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
| 发明(设计)人: | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;李聪 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 镀膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种镀膜件及该镀膜件的制备方法,特别涉及一种具有疏水效果的镀膜件及该镀膜件的制备方法。
背景技术
浸润性是固体表面的重要性质之一。疏水表面是指固体表面与水的接触角大于90°的表面。近年来,疏水表面在日常生活和工业领域有着越来越重要的应用价值。目前应用较多的主要为在固体表面涂覆表面能低的有机疏水层,其中该类有机疏水层以含氟和/或硅的高分子材料居多;但有机疏水材料通常具有硬度低、不耐磨、耐热温度低等缺点,严重影响其进一步的应用。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种有效解决上述问题的镀膜件。
另外,还有必要提供一种上述镀膜件的制备方法。
一种镀膜件,其包括基体及形成于基体表面的疏水层,该疏水层为非晶CNy层,其中1≤y≤3。
一种镀膜件的制备方法,其包括如下步骤:
提供一基体;
在基体表面形成疏水层,该疏水层为非晶CNy层,其中1≤y≤3,该疏水层采用磁控溅射的方式形成,以石墨靶为靶材,以氨气为反应气体。
本发明所述镀膜件在基体表面沉积疏水层,该疏水层与水的接触角达到100~110°,且该疏水层具有化学性质稳定、耐高温、硬度高、耐磨等优点,可有效保护基体,相应地延长镀膜件的使用寿命。
附图说明
图1为本发明一较佳实施例镀膜件的剖视图;
图2为本发明一较佳实施例真空镀膜机的示意图。
主要元件符号说明
镀膜件 10
基体 11
疏水层 13
真空镀膜机20
镀膜室 21
石墨靶 23
轨迹 25
真空泵 30
具体实施方式
请参阅图1,本发明一较佳实施方式镀膜件10包括基体11、形成于基体11表面的疏水层13。
该基体11的材质可为不锈钢或陶瓷。
该疏水层13为非晶氮化碳(CNy)层,其中1≤y≤3。该疏水层13以磁控溅射的方式形成于所述基体11上,其厚度可为200~350nm。该疏水层13具有相对较低的表面能,且其与水的接触角可达100~110°。
本发明一较佳实施方式的镀膜件10的制备方法,其包括以下步骤:
提供一基体11,该基体11的材质可为玻璃或不锈钢。
将基体11放入无水乙醇中进行超声波清洗,以去除基体11表面的污渍,清洗时间可为30~50min。
对经上述处理后的基体11的表面进行氩气等离子体清洗,以进一步去除基体11表面的油污,以及改善基体11表面与后续镀层的结合力。结合参阅图2,提供一真空镀膜机20,该真空镀膜机20包括一镀膜室21及连接于镀膜室21的一真空泵30,真空泵30用以对镀膜室21抽真空。该镀膜室21内设有转架(未图示)和相对设置的二石墨靶23。转架带动基体11沿圆形的轨迹25公转,且基体11在沿轨迹25公转时亦自转。
该等离子体清洗的具体操作及工艺参数可为:将基体11固定于真空镀膜机20的镀膜室21中的转架上,将该镀膜室21抽真空至3.0×10-5Torr,然后向镀膜室21内通入流量为500sccm(标准状态毫升/分钟)的氩气(纯度为99.999%),并施加-100~-180V的偏压于基体11,对基体11的表面进行氩气等离子体清洗,清洗时间为3~10min。
采用磁控溅射法在经氩气等离子体清洗后的基体11上溅镀一疏水层13。该疏水层13为非晶氮化碳(CNy)层,其中1≤y≤3。溅镀该疏水层13在所述真空镀膜机20中进行。开启石墨靶23,并设定石墨靶23的功率为5~10kw,以氨气为反应气体,氨气流量可为200~320sccm,以氩气为工作气体,氩气流量可为300~500sccm。溅镀时对基体11施加-120~-200V的偏压,并加热所述镀膜室21至温度为180~250℃,镀膜时间可为38~55min。该疏水层13的厚度可为200~350nm。
下面通过实施例来对本发明进行具体说明。
实施例1
本实施例所使用的真空镀膜机20为中频磁控溅射镀膜机,为深圳南方创新真空技术有限公司生产,型号为SM-1100H。
提供一基体11,该基体11为玻璃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司,未经鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010618079.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:量测结果图形化输出系统及方法
- 下一篇:RuSi的爆炸冲击合成方法
- 同类专利
- 专利分类





