[发明专利]镀膜件及其制备方法无效
| 申请号： | 201010618079.6 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102534528A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;李聪 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镀膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种镀膜件，其包括基体及形成于基体表面的疏水层，其特征在于：该疏水层为非晶CNy层，其中1≤y≤3。
2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基体为不锈钢或玻璃。
3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述疏水层的厚度为200～350nm。
4.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：
提供一基体；
在基体表面形成疏水层，该疏水层为非晶CNy层，其中1≤y≤3，该疏水层采用磁控溅射的方式形成，以石墨靶为靶材，以氨气为反应气体。
5.如权利要求4所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成疏水层的具体工艺参数为：所述石墨靶的功率为5～10kw，氨气的流量为200～320sccm，以氩气为工作气体，氩气的流量为300～500sccm，基体偏压为-120～-200V，基体的温度为180～250℃，镀膜时间为38～55min。
6.如权利要求4所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述基体为不锈钢或玻璃。
7.如权利要求4所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述疏水层的厚度为200～350nm。
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