[发明专利]NAND编程技术

权利要求书

1.一种编程NAND存储器阵列的方法，包括：

选择所述NAND存储器阵列的字线以编程耦合至所述字线的至少两个存储器单元，所述字线被耦合至多个存储器单元；

若与待编程的至少两个存储器单元相关联的数据模式是双侧列-条(CS2)数据模式则通过将编程电压Vpgm作为双重脉冲施加给所述字线来编程耦合至所述字线的所述至少两个存储器单元，所述至少两个存储器单元中的第一存储器单元由第一编程电压脉冲编程而所述至少两个存储器单元中的第二存储器单元由第二编程电压脉冲编程；以及

若与待编程的至少两个存储器单元相关联的数据模式不是双侧列-条(CS2)数据模式则通过将编程电压Vpgm作为单个脉冲施加给所述字线来编程耦合至所述字线的所述至少两个存储器单元。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述双侧列-条(CS2)数据模式包括直接介于待编程的两个存储器单元之间的将不被编程的存储器单元、与所述将不被编程的存储器单元相关联的具有所施加的升压电压的沟道、以及与所述待编程的两个存储器单元相关联的具有所施加的编程电压的沟道。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括，若与所述NAND存储器阵列的所述编程相关联的循环计数大于第一预定值且小于第二预定值，则将所述编程电压Vpgm作为所述双重脉冲施加给所述字线；以及

若与所述NAND阵列的所述编程相关联的所述循环计数小于所述第一预定值和大于所述第二预定值，则将所述编程电压Vpgm作为所述单个脉冲施加给所述字线。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括，若所述编程电压Vpgm的量值大于第一预定量值且小于第二预定量值，则将所述编程电压Vpgm作为所述双重脉冲施加给所述字线；以及

若所述编程电压Vpgm的量值小于所述第一预定量值且大于所述第二预定量值，则将所述编程电压Vpgm作为所述单个脉冲施加给所述字线。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括若所述编程电压Vpgm的量值大于第一预定量值且小于第二预定量值，则将所述编程电压Vpgm作为所述双重脉冲施加给所述字线；以及

若所述编程电压Vpgm的量值小于所述第一预定量值且大于所述第二预定量值，则将所述编程电压Vpgm作为所述单个脉冲施加给所述字线。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括，若与所述NAND存储器阵列的所述编程相关联的循环计数大于第一预定值且小于第二预定值，则将所述编程电压Vpgm作为所述双重脉冲施加给所述字线；以及

若与所述NAND阵列的所述编程相关联的所述循环计数小于所述第一预定值且大于所述第二预定值，则将所述编程电压Vpgm作为所述单个脉冲施加给所述字线。

7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括，若检测到所述双侧列-条(CS2)数据模式，则将所述编程电压Vpgm作为所述双重脉冲施加给所述字线；以及

若未检测到所述双侧列-条(CS2)数据模式，则将所述编程电压Vpgm作为所述单个脉冲施加给所述字线。

8.一种编程NAND存储器阵列的方法，包括：

选择所述NAND存储器阵列的字线以编程耦合至所述字线的至少两个存储器单元，所述字线被耦合至多个存储器单元；

检测双侧列-条(CS2)数据模式，所述双侧列-条(CS2)数据模式包括直接介于待编程的两个存储器单元之间的将不被编程的存储器单元、与所述将不被编程的存储器单元相关联的具有所施加的升压电压的沟道、以及与所述待编程的两个存储器单元相关联的具有所施加的编程电压的沟道；

若与待编程的至少两个存储器单元相关联的数据模式是所述双侧列-条(CS2)数据模式，则通过将编程电压Vpgm作为双重脉冲施加给所述字线来编程耦合至所述字线的所述至少两个存储器单元；以及

若与待编程的至少两个存储器单元相关联的数据模式不是双侧列-条(CS2)数据模式，则通过将编程电压Vpgm作为单个脉冲施加给所述字线来编程耦合至所述字线的所述至少两个存储器单元。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述至少两个存储器单元中的第一存储器单元由第一编程电压脉冲编程，而所述至少两个存储器单元中的第二存储器单元由第二编程电压脉冲编程。