[发明专利]一种石英音叉的加工方法无效

专利信息
申请号: 201010617322.2 申请日: 2010-12-31
公开(公告)号: CN102142823A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 任剑锋 申请(专利权)人: 苏州普锐晶科技有限公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州市苏州高*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 石英 音叉 加工 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及石英音叉的加工方法,特别涉及一种利用光刻腐蚀技术加工石英音叉的加工方法。

背景技术

一般情况下,使用线切割方法切割音叉,此方法的工作原理是:是通过电火花放电产生热来熔解石英,加工中不存在显著地机械切削力。这种方法可以加工硬质合金等一切导电材料,最小角部半径有限制,线切割加工中最小角半径为电极丝的半径加上加工间隙,线切割加工时利用移动的细金属导线(铜丝或钼丝)做电极,对石英进行脉冲火花放电,切割成型的一种工艺方法。然而,这种方法切割加工的石英音叉精度比较低,切割后音叉厚度差为0.2~0.3μ,这样在振动时受到的阻力大,造成精度低,只有100ppm左右,且电阻高。

发明内容

为了解决线切割方法切割音叉时精度低的技术问题,本发明提出以下技术方案:

一种石英音叉的加工方法,加工步骤如下:

A)原料片研磨,将原料片研磨至一定厚度,厚度为135~155μm;

B)抛光,将研磨完成的原料片表面抛光处理,使其成为镜面,抛光后的厚度为125~145μm;

C)涂胶光刻,在原料片上涂上光刻胶(正胶),放入光刻机种,利用光刻技术使光刻胶形成音叉的形状,具体尺寸为长度:3170~3185μm,宽度:495~515μm;

D)腐蚀,将光刻后的原料片放入腐蚀液中;

E)清洗,洗去表面残留的光刻胶。

作为本发明的优选方案,所述步骤A中原料片研磨的厚度为135~155μm。

作为本发明的优选方案,所述步骤B中抛光后的厚度为125~145μm。

作为本发明的优选方案,所述步骤C中所涂胶层为光刻胶(正胶)。放入光刻机中,抛光后刻蚀出的音叉形状为长度:3170~3185μm,宽度:495~515μm;

作为本发明的优选方案,所述步骤D中的腐蚀液为氢氟酸(浓度为30%~50%)和氟化铵或氟化氢铵(浓度为30%~40%)的混合液,比例为氢氟酸∶氟化铵或氟化氢铵=1∶1~1.5。

作为本发明的优选方案,所述步骤E中,采用浓度为10%的碱性氢氧化钠溶液吸取表面残留的光刻胶。

本发明所述的石英音叉的加工方法,其带来的有益效果是:

1.使用光刻腐蚀技术加工的音叉厚度差只有0.11μ~0.13μ,精度达到50ppm;电阻低。

2.不需要线切割机,减少了线切割机的维护。

具体实施方式

下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

一种石英音叉的加工方法,加工步骤如下:

A)原料片研磨,将原料片研磨至一定厚度,厚度为135~155μm

B)抛光,将研磨完成的原料片表面抛光处理,使其成为镜面,抛光后的厚度为125~145μm。

C)涂胶光刻,在原料片上涂上光刻胶(正胶),放入光刻机中,利用光刻技术使光刻胶形成音叉的形状;具体尺寸为长度:3170~3185μm,宽度:495~515μm;

D)腐蚀,将光刻后的原料片放入腐蚀液中;

E)清洗,洗去表面残留的光刻胶。

其中,需要说明的是,所述步骤A中原料片的研磨厚度为135~155μm;步骤B中抛光后的厚度为125~145μm;步骤C中涂胶胶层为光刻胶(正胶);光刻机曝光后所形成的音叉形状为长度:3170~3185μm,宽度:495~515μm;所述步骤D中的腐蚀液为氢氟酸(浓度为30%~50%)和氟化铵或氟化氢铵(浓度为30%~40%)的混合液,比例为氢氟酸∶氟化铵或氟化氢铵=1∶1~1.5;所述步骤E中,采用碱性氢氧化钠洗去表面残留的光刻胶。

利用光刻腐蚀技术加工石英音叉,将原料片研磨至135~155μm的厚度,再抛光,使其表面呈镜面,接着在表面处理好的原料片上涂光刻胶,光刻胶为正性胶,正性胶的特性为由光产生分解,放入光刻机曝光后,在光刻胶表面刻蚀出音叉形状,具体尺寸为长度:3170~3185μm,宽度:495~515μm;放入腐蚀液中,利用石英(Sio2)与腐蚀液反应,而胶与腐蚀液不能反应的原理,将未涂胶的部分腐蚀掉,加工成音叉形状。最后使用碱性氢氧化钠溶液洗去表面残留的光刻胶。

以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内,可不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。

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