[发明专利]放射线敏感性组合物、固化膜及其形成方法有效
| 申请号: | 201010614014.4 | 申请日: | 2010-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN102147570A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
| 发明(设计)人: | 铃木康伸;上田二朗 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
| 主分类号: | G03F7/075 | 分类号: | G03F7/075;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人: | 刘激扬 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 放射线 敏感性 组合 固化 及其 形成 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种放射线敏感性组合物、由该组合物形成的固化膜以及该固化膜的形成方法。
背景技术
液晶显示元件等在其制造工序中,通过溶剂、酸或碱性溶液等进行浸渍处理。此外,该液晶显示元件在通过溅射形成线路电极层时,元件表面会局部暴露在高温下。因此,为了防止由于采用该溶剂等进行的浸渍处理或高温处理使液晶显示元件恶化或损伤,需要在元件的表面设置对这些处理具有耐受性的保护膜。此外,在液晶显示元件等中,设置通常设置为层状的、用于使线路间绝缘的层间绝缘膜和用于使两张基板间的间隔(盒间隔)保持稳定的隔片。
作为该保护膜、层间绝缘膜和隔片等(以下也称为保护膜等)的材料,由于用于获得所需图案形状的工序数量少,且具有足够的平坦性为优选,因此广泛使用放射线敏感性组合物。该保护膜等的材料要求相对于需要形成该保护膜等的基板或底层,进一步在各层等上形成的层,在固化时的粘附性高,具有透明性,涂布性、图案形成性优异等性能。作为用于形成满足这些特性的保护膜等的材料,主要使用丙烯酸酯类树脂。与之相对,尝试了使用比丙烯酸酯类树脂耐热性和透明性优异的聚硅氧烷类材料作为放射线敏感性组合物的成分(参见日本特开2000-1648号公报、日本特开2006-178436号公报)。此外,聚硅氧烷类材料由于折射率比丙烯酸酯类树脂低,因此在例如ITO(铟锡氧化物)透明导电膜图案等其他层的表面上涂布时,折射率差变大,因此存在容易看见ITO图案,液晶显示画面的目视确认性降低的问题。
此外,该放射线敏感性组合物从例如层间绝缘膜中接触孔形成优先性的观点出发,优选使用正型放射线敏感性固化性组合物。此外,作为聚硅氧烷类材料中的正型放射线敏感性组合物,由于图案形成性高,因此作为放射线敏感性酸产生剂,通常使用采用醌二叠氮化合物的组合物,但使用该醌二叠氮化合物存在成本高的要素。
此外,作为半导体密封用材料、半导体底层填料用材料、半导体保护膜用材料、半导体层间绝缘膜用材料、电路基材用材料、平坦化材料、电路基板保护用材料、抗蚀剂用材料、抗镀敷剂用材料、液晶密封用材料或发光二极管元件密封用材料,也不是能短时间获得耐热性、粘附性和电绝缘性等优异的固化膜的放射线敏感性组合物(参照US 5385955A)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-1648号公报
专利文献2:日本特开2006-178436号公报
专利文献3:美国专利5385955A
发明内容
本发明是基于该情形做出的,其目的在于提供一种具有形成目前的保护膜等的材料所必须的图案形成性,所得固化物除了透明性和粘附性以外,还具有高折射率,且具有正型放射线敏感性的聚硅氧烷类放射线敏感性组合物,由该组合物形成的固化物和它们的形成方法。
此外,其目的还在于提供一种通过用作半导体密封用材料、半导体底层填料用材料、半导体保护膜用材料、半导体层间绝缘膜用材料、电路基材用材料、平坦化材料、电路基板保护用材料、抗蚀剂用材料、抗镀敷剂用材料、液晶密封用材料或发光二极管元件密封用材料等,从而能在短时间内获得耐热性、粘附性和电绝缘性等优异的固化膜的放射线敏感性组合物。
用于解决上述课题的发明为一种放射线敏感性组合物,其含有:
[A]硅氧烷聚合物、
[B]金属氧化物颗粒、和
[C]放射线敏感性酸产生剂或放射线敏感性碱产生剂,
上述[B]金属氧化物颗粒为选自铝、锆、钛、锌、铟、锡、锑和铈构成的群组中的至少一种金属的氧化物颗粒。
该放射线敏感性组合物通过含有上述各成分,从而具有高的图案形成性,所得固化物具有高的透明性和粘附性。尤其是根据该放射线敏感性组合物,通过含有上述种类的金属氧化物颗粒作为[B]成分,从而能提高所得固化物的折射率。此外,该放射线敏感性组合物通过使用上述氧化物颗粒作为[B]成分的金属氧化物颗粒,从而能体现图案形成性高的正型放射线敏感特性。
[A]硅氧烷聚合物可以是下式(1)表示的水解性硅烷化合物的水解缩合物。
(R1)n-Si-(OR2)4-n (1)
在式(1)中,R1各自独立地为氢或碳原子数为1~20的非水解性有机基团。R2各自独立地为氢、碳原子数为1~6的烷基、碳原子数为1~6的酰基或碳原子数为6~15的芳基。n为0~3的整数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JSR株式会社,未经JSR株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010614014.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶片抛光设备
- 下一篇:一种用于研磨电镀零件的机构





