[发明专利]承载件、半导体封装件及其制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种承载件、半导体封装件及其制法，特别涉及一种成本低的承载件、半导体封装件及其制法。

背景技术

随着电子工业的进步与数码时代的来临，各式电子产品已日渐朝向功效整合的趋势发展，期望能将多样产品整合于单一可携式装置上，以提升使用者的使用便利，进而突破原有的空间限制，因此，对于例如具发光二极管(LED)或激光二极管(Laser Diode)等配置于各类电子产品而言，如何将其朝薄型化的装置进行整合，无疑是目前电子产业的趋势。

请参阅图1，图1为现有的具发光元件的封装件的示意图。该封装件在硅基板10上形成具有倾斜壁100a的凹槽100以承载如发光二极管(LED)或激光二极管(Laser Diode)的半导体元件11，且该半导体元件11以打线方式电性连接该硅基板10，并在该凹槽100的倾斜壁100a上依序形成氧化硅绝缘层12、以铝或银等对光反射率高材质所制成的反射层13、及氧化硅绝缘层14。

请再参阅图2A至2C，图2A至2C是第6531328号美国专利所揭露的具有凹槽的硅基板的制法示意图。如图2A所示，先在硅基板10上涂布光阻层15，且利用掩膜光刻方式移除部分光阻层15以形成开口150，使该硅基板10的部分表面外露于该开口150中。如图2B所示，湿法蚀刻外露的硅基板10表面，以形成凹槽100，且该凹槽100具有倾斜壁100a。如图2C所示，移除该光阻层15。

现有的硅基板10的凹槽100的成形方式为湿法蚀刻图案化工艺，因而使该凹槽100具有倾斜角54.74度的倾斜壁100a，此乃因该硅基板10的硅晶格的化学晶格排列所导致。但是，若欲蚀刻出其他角度以达到更佳的发光反射效率或降低高度(角度愈大，高度愈低，以利于薄化设计)，将需耗费更多时间及使用更多药液，导致工艺成本提高。

再者，使用湿法蚀刻图案化工艺形成该凹槽100，需购置湿式蚀刻设备及药液，导致生产成本大幅提高。

因此，如何避免现有技术的种种问题，实为当前所要解决的目标。

发明内容

为克服现有技术的种种缺失，本发明提供一种半导体封装件，包括：基板；阻层，设于该基板上，且具有开口，以外露出该基板的表面；第一金属层，设于该阻层表面上；半导体元件，设于该开口中的基板上，并电性连接该基板；封装材，设于该开口中，以被覆该半导体元件。

本发明还揭露一种半导体封装件的制法，包括：提供一基板；在该基板上形成阻层，且在该阻层上形成至少一开口，以外露出该基板的表面；在该阻层表面上形成第一金属层；在该开口中的基板上设置半导体元件，且令该半导体元件电性连接该基板；以及在该开口中形成封装材，以被覆该半导体元件。

此外，本发明还提供一种承载件，包括：基板；阻层，设于该基板上，且具有开口，以外露出该基板的表面，且该开口的口径朝该基板表面渐缩；以及第一金属层，设于该阻层表面上。

前述的半导体封装件、其制法及承载件中，该基板可为硅基板，该阻层可为光阻层，且该开口的口径以朝该基板表面渐缩为佳，而形成该第一金属层的材料可为银、铝或镍。

前述的半导体封装件、其制法及承载件中，该半导体元件是发光二极管芯片，且该半导体元件以打线方式或覆晶方式电性连接该基板。

前述的半导体封装件、其制法及承载件中，还包括在设置该半导体元件前，形成第二金属层，设于该基板或部分阻层上，并与该半导体元件电性连接，例如该半导体元件可设在该第二金属层上，且形成该第二金属层的材料为金或镍。

由上可知，本发明的承载件、半导体封装件及其制法，通过直接在该阻层上形成放置该半导体元件的开口，取代如现有技术的以湿法蚀刻方式在基板上制作开口，不仅无需使用蚀刻液，且无需耗费额外时间进行蚀刻，有效降低工艺成本。

再者，通过直接在该阻层上形成的开口，该开口的孔壁的倾斜角度不受限制，即可依需求使倾斜角度增大，以降低高度愈低，有效达到薄化的目的。

此外，由于无需使用湿法蚀刻图案化工艺，因此无需购置湿式蚀刻设备及药液，有效降低生产成本。

附图说明

图1为现有的具发光元件的封装件的剖面示意图；

图2A至2C为美国专利公告号US 6531328B1的制法的示意图；以及

图3A至3E为本发明半导体封装件的制法的剖面示意图。

主要元件符号说明

10        硅基板

100       凹槽

100a      倾斜壁

11        半导体元件

12、14    氧化硅绝缘层