[发明专利]镀膜件及其制备方法

权利要求书

1.一种镀膜件，其包括一基体，其特征在于：该镀膜件还包括依次形成于基体表面的氧化镁-氧化铝(MgO-Al₂O₃)的混合物层及抗指纹层，该抗指纹层为氟化镁铝氧(MgAlO_xF_y)层，其中0＜x＜2.5，0＜y＜5。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述MgO-Al₂O₃的混合物层为纳米级的非晶态结构，其厚度为500-600nm。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述MgAl O_xF_y层为纳米级的非晶态结构，其表面形成有若干均匀分布的纳米级乳突结构。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述抗指纹层的厚度为200-400nm。

5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述抗指纹层以磁控溅射镀膜法或对所述MgO-Al₂O₃的混合物层直接氟化的方式形成。

6.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基体的材质为金属或非金属。

7.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：

提供一基体；

以镁铝合金靶为靶材，以氧气为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该基体的表面溅镀氧化镁-氧化铝(MgO-Al₂O₃)的混合物层；

以镁铝合金靶为靶材，以氧气、四氟化碳气体为反应气体，采用磁控溅射镀膜法在该MgO-Al₂O₃的混合物层表面制备一氟化镁铝氧(MgAlO_xF_y)层，其中0＜x＜2.5，0＜y＜5。

8.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：溅镀所述MgO-Al₂O₃的混合物层对基体设置-50～-300V的偏压，溅镀温度为150-240℃，氧气的流量为60-200sccm，以氩气为工作气体，氩气的流量为300-500sccm，镁铝合金靶的功率为5-10kW，溅镀时间为20-60分钟。

9.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：制备所述MgAlO_xF_y层对基体设置-50～-300V的偏压，溅镀温度为150-240℃，氧气的流量为15-40sccm，以氩气为工作气体，氩气的流量为300-500sccm，四氟化碳的流量在10-100sccm之间，镁铝合金靶由射频电源控制，其射频功率密度为50-100W/cm²，处理时间为20-60分钟。

10.如权利要求9所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在溅镀MgO-Al₂O₃的混合物层前对基体进行清洁前处理及等离子体清洗的步骤。