[发明专利]提高低压降稳压电路稳定性的方法及实现该方法的低压降稳压器无效
| 申请号： | 201010612568.0 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102176182A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 高彬;马岩;陆崇鑫;李宏志 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 徐平;王少文 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 低压 稳压 电路 稳定性 方法 实现 稳压器 | ||
技术领域
本发明属稳压电路领域，涉及一种提高稳压电路稳定性的方法及实现该方法的稳压器，尤其涉及一种提高低压降稳压电路稳定性的方法及实现该方法的低压降稳压器。
背景技术
在低压降稳压器电路设计中，环路稳定性的是一个重要的部分。图1为现有低压降稳压器电路的结构示意图。参见图1，低压降稳压器电路10主要由误差放大器电路100，PMOS驱动管110和电阻反馈网络120构成。误差放大器电路100的正向输入端接输入参考电压Vref，误差放大器电路100的输出端接PMOS驱动管110的栅极G，，输入参考电压Vref由带隙电压基准电路产生。PMOS驱动管110漏极D的输出通过电阻反馈网络120的第一电阻R1和第二电阻R2分压后反馈到误差放大器电路100的反向输入端。在输出点Vout接有用以稳定低压降稳压器输出电压的输出电容Co。Resr为输出电容Co的等效串联电阻，Iload为电路的负载电流。
图2是图1所示的低压降稳压器电路的小信号模型图。其中Roa为误差放大器电路100的输出阻抗，Cgs为PMOS驱动管的栅源极电容，Cgd为PMOS驱动管的栅漏极电容。gmVgs为PMOS驱动管的栅源电压Vgs控制的电流源，r0为PMOS驱动管的输出阻抗。对图2所示低压降稳压器电路的小信号模型进行零极点分析可知，其输出电容Co的值一般远大于误差放大器电路100输出点上的寄生电容，所以通常这一点为输出主极点P1。输出主极点P1的角频率ωp1为：
其中：r0是低压降稳压器的PMOS驱动管的输出阻抗。
第二主极点P2位于误差放大器电路100的输出端，由误差放大器电路100的输出阻抗Roa，PMOS驱动管110的栅源电容Cgs与栅漏电容Cgd的并联电容得到。第二主极点P2的角频率ωp2为：
由于输出电容Co存在等效串联电阻Resr，电路会存在一个零点Z1。零点Z1的角频率ωz1为：
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