[发明专利]在基板上搭载半导体结构体的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

半导体结构体，该半导体结构体具有半导体衬底和凸设在所述半导体衬底表面的外部连接用电极；

搭载所述半导体结构体的基板；以及

密封层，该密封层层叠在除了所述外部连接用电极以外的所述半导体衬底上、和包含所述半导体衬底侧面的所述基板上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述密封层是使所述外部连接用电极贯通半固化片并硬化该半固化片而成的层。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述密封层是一层的，是玻璃纤维强化环氧树脂、玻璃纤维强化聚酰亚胺树脂、或未纤维强化的环氧树脂或聚酰亚胺树脂。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述半导体衬底上，设置有连接垫和与所述连接垫连接而设置的配线，所述外部连接用电极设置在所述配线的接合区上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底由粘着剂层粘着到基板上。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述密封层上，上层配线被设置为，不经由绝缘膜而直接连接到所述外部连接用电极。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述外部连接用电极是柱状电极。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

将多个半导体结构体载置在基板上，该半导体结构体具有凸设在半导体衬底表面的外部连接用电极，

在除了所述外部连接用电极以外的所述半导体衬底上、和包含所述半导体衬底侧面的所述基板上层叠密封层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述密封层的层叠，是在所述半导体衬底和所述基板上重叠半固化片，使所述外部连接用电极贯通所述半固化片，并使所述半固化片硬化，从而使所述半固化片成为所述密封层。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体衬底是被芯片化的衬底，

在层叠所述密封层之前，将多个所述半导体衬底搭载在所述基板上，

所述密封层的层叠，是在所述基板和多个所述半导体衬底上重叠半固化片，使所述外部连接用电极贯通所述半固化片，并使所述半固化片硬化，从而使所述半固化片成为所述密封层，

在层叠所述密封层之后，切割所述基板和所述密封层。

11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半固化片是一层的，是玻璃纤维强化环氧树脂、玻璃纤维强化聚酰亚胺树脂、或未纤维强化的环氧树脂或聚酰亚胺树脂。

12.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述半导体衬底上，形成连接垫和与所述连接垫连接而形成的配线，所述外部连接用电极形成在所述配线的接合区上。

13.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体衬底由粘着剂层粘着到基板上。

14.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述密封层上，不经由绝缘膜而直接连接到所述外部连接用电极地形成上层配线。

15.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述外部连接用电极是柱状电极。