[发明专利]非UV型芯片模贴装膜和制造该芯片模贴装膜的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装技术。更具体地，本发明涉及能在取晶工艺中取消UV曝光的非UV型芯片模贴装膜，以及制造该芯片模贴装膜的方法。

背景技术

在半导体封装工艺中，上面形成有半导体电路的晶圆被粘贴到芯片模贴装膜如切割芯片模粘接膜上，然后通过锯片切成小的半导体晶片。然后，通过取晶工艺将这些芯片从芯片模贴装膜搬走。在这种情况下，为了将芯片模贴装膜的切割膜层与粘附到这些芯片上的贴装层分离，进行UV曝光以消除贴装层和切割膜层之间的粘附力，从而拾取芯片。然后将粘附有贴装层的拾取芯片粘贴到封装体衬底或其他半导体芯片上并进行环氧塑封料(EMC)的工艺，从而提供最终的半导体封装体。

在取晶之前立即进行的UV曝光在半导体封装工艺中耗费大量时间，并大大地影响了半导体封装体的生产率，严重地限制了生产率的提高。此外，如果UV曝光期间UV辐照器发生故障，一批晶圆中的一些未进行UV曝光，并承受取晶失败，这导致在取晶工艺中经锯切的半导体芯片不能与芯片模贴装膜的切割膜层分离。

因此，需要一种能取消在锯片工艺和取晶工艺之间进行的UV曝光的芯片模贴装膜。例如，已进行尝试开发在制造芯片模贴装膜的过程中通过调节切割膜的粘着性而同时具有保持力和用于取晶工艺的剥离强度、即切割膜层的粘结强度的切割膜或芯片模贴装膜，保持力用于在切割操作期间保持或维持晶圆。然而，在这种情况下，由于切割膜层的粘结强度提前下降，所以在切割工艺期间，环形框架会不理想地与切割膜层的边缘分离。

在切割和取晶工艺中，必须用非常大的粘结力使切割膜层边缘和环形框架彼此粘合。然而，如果切割膜层的粘着性显著下降，切割膜层与环形框架的粘结力或粘附力变弱，导致在这些工艺中环形框架与切割膜层不理想地分离。这种环形框架的分离会导致晶圆或环形框架内已锯切的芯片受损，以及用于切割和取晶工艺的工艺设备受损。

发明内容

本发明的一方面提供一种制造芯片模贴装膜的方法，包括：将光固化粘结剂组合物的切割膜层引入到将被粘贴到晶圆上的贴装层，所述切割膜层包括与所述贴装层重叠的贴装层区域和具有在所述贴装层附近暴露的上表面的环形框架区域；和对所述切割膜层的背面照射UV光以使作为自由基清除剂的氧气流进入所述环形框架区域的暴露上表面以抑制所述环形框架区域的光固化，同时引起所述氧气流被所述贴装层阻挡的所述贴装层区域的光固化。

所述切割膜层可以覆盖层粘贴到所述贴装层的方式引入到所述贴装层，且所述方法可进一步包括：将透明处理膜粘贴到所述切割膜层的背面；和去除所述覆盖层以使所述环形框架区域的上表面暴露于大气或氧气氛中，从而使所述氧气流进入所述切割膜的上表面。

本发明的另一方面提供一种芯片模贴装膜，包括：将被粘贴到晶圆上的贴装层；和布置在所述贴装层下的光固化粘结剂组合物的切割膜层，所述切割膜层包括贴装层区域和环形框架区域，所述贴装层区域与所述贴装层重叠并通过光固化具有降低的粘着性，所述环形框架区域具有在所述贴装层附近暴露的上表面并通过避免光固化而保持比所述贴装层区域高的粘着性。

本发明的又一个方面提供一种芯片模贴装膜，包括：将被粘贴到晶圆上的贴装层；光固化粘结剂组合物的切割膜层，所述切割膜层布置在所述贴装层下并具有将要粘贴环形框架的暴露区域；粘贴于所述贴装层的覆盖层；以及透明处理膜，所述透明处理膜粘贴于所述切割膜层背面并使用于部分光固化所述切割膜层而照射的UV光束透过。

附图说明

图1～5示出了根据本发明实施方式的芯片模贴装膜及制造该芯片模贴装膜的方法；和

图6和图7示出了提供用于解释本发明实施方式的对比例。

具体实施方式

本发明的实施方式提供非UV型芯片模贴装膜和制造该芯片模贴装膜的方法，该芯片模贴装膜能保持将要粘贴环形框架的切割膜层边缘的粘结强度，同时降低贴装层和切割膜层之间的粘附力以对取晶工艺提供剥离强度，从而能在锯片和取晶工艺中取消用于降低粘附力的UV曝光。

根据各实施方式，在制造芯片模贴装膜的工艺期间，由UV可固化粘结剂组合物组成的切割膜层通过UV曝光固化，使得切割膜层的粘结强度降低以对取晶工艺提供剥离强度。调节切割膜层的粘结强度以提供在切割期间用于保持晶圆的保持力和在取晶工艺中的剥离强度。

在切割膜层上形成用于粘贴晶圆的贴装层之后，进行切割膜层的UV固化。切割膜层可分成贴装层区域和环形框架区域，贴装层区域对应于切割膜层的中心区域并具有被贴装层遮挡的上表面，环形框架区域对应于切割膜层的边缘并在贴装层附近暴露。进行UV曝光以通过切割膜层的背面对切割膜层照射UV光。