[发明专利]非UV型芯片模贴装膜和制造该芯片模贴装膜的方法

权利要求书

1.一种制造芯片模贴装膜的方法，包括：

将光固化粘结剂组合物的切割膜层引入到将被粘贴到晶圆上的贴装层，所述切割膜层包括与所述贴装层重叠的贴装层区域和具有在所述贴装层附近暴露的上表面的环形框架区域；和

对所述切割膜层的背面照射UV光以使作为自由基清除剂的氧气流进入所述环形框架区域的暴露上表面以抑制所述环形框架区域的光固化，同时引起所述氧气流被所述贴装层阻挡的所述贴装层区域的光固化。

2.根据权利要求1所述的制造芯片模贴装膜的方法，其中所述切割膜层以覆盖层粘贴到所述贴装层的方式引入到所述贴装层，

所述方法进一步包括：

将透明处理膜粘贴到所述切割膜层的背面；且

去除所述覆盖层以使所述环形框架区域的上表面暴露于大气或氧气氛中，从而使所述氧气流进入所述切割膜的上表面。

3.如权利要求1所述的制造芯片模贴装膜的方法，其中所述对切割膜层的背面照射UV光包括对所述切割膜层的背面提供遮光板以遮挡所述环形框架区域。

4.一种芯片模贴装膜，用根据权利要求1～3中任何一项所述的方法制造。

5.一种芯片模贴装膜，包括：

将被粘贴到晶圆上的贴装层；和

布置在所述贴装层下的光固化粘结剂组合物的切割膜层，所述切割膜层包括贴装层区域和环形框架区域，所述贴装层区域与所述贴装层重叠并通过光固化具有降低的粘着性，所述环形框架区域具有在所述贴装层附近暴露的上表面并通过避免光固化而保持比所述贴装层区域高的粘着性。

6.如权利要求5所述的芯片模贴装膜，其中所述环形框架区域保持60％或更高的所述切割膜层的初始粘着性，且所述贴装层区域的粘着性降低至所述切割膜层的初始粘着性的20％或更低。

7.一种芯片模贴装膜，包括：

将被粘贴到晶圆上的贴装层；

光固化粘结剂组合物的切割膜层，所述切割膜层布置在所述贴装层下并具有将要粘贴环形框架的暴露区域；

粘贴于所述贴装层的覆盖层；和

透明处理膜，所述透明处理膜粘贴于所述切割膜层的背面并使用于部分光固化所述切割膜层而照射的UV光束透过。

8.如权利要求7所述的芯片模贴装膜，其中经过UV曝光后，相比与所述贴装层重叠的所述切割膜层的区域，所述切割膜层的所述环形框架区域保持了更高的粘着性。

9.如权利要求7所述的芯片模贴装膜，其中所述覆盖层包括聚对苯二甲酸乙二醇酯膜层。

10.如权利要求7所述的芯片模贴装膜，其中所述切割膜层包括被UV光固化的光固化粘结剂组合物。

11.如权利要求10所述的芯片模贴装膜，其中所述光固化粘结剂组合物包括丙烯酸类粘结剂、光引发剂和热固化剂。

12.如权利要求7所述的芯片模贴装膜，其中所述处理膜包括对于UV光呈现出至少80％或更高的透过率的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。