[发明专利]采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法

权利要求书

1.一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，其特征在于，

包括如下步骤：

提供器件衬底与支撑衬底；

在器件衬底的表面形成绝缘层；

热处理器件衬底，从而在所述器件衬底的表面形成洁净区域；

将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；

对键合界面实施退火加固，使键合界面的牢固程度能够满足后续倒角研磨、减薄以及抛光工艺的要求；

对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件衬底为单晶硅衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：在对器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光工艺之后，对键合后界面实施补充退火加固。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理器件衬底的步骤进一步包括：

第一热处理步骤，以在器件衬底表面形成结晶区域；

第二热处理步骤，温度低于第一热处理退火步骤，以使洁净区域以外的器件衬底中的饱和氧元素积聚成核；

第三热处理步骤，使第二热处理步骤中积聚成核的氧元素形成更大的氧沉淀，同时所述氧沉淀能够吸收洁净区域中的金属杂质。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括如下步骤：在对器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光工艺之前，在支撑衬底暴露出来的表面上形成保护层。