[发明专利]偏光板、显示设备及偏光板的制备方法有效

专利信息
申请号: 201010606615.0 申请日: 2010-12-27
公开(公告)号: CN102565908A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 李润复;朴求铉 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G02B27/26
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 张丽荣
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 偏光 显示 设备 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种偏光板,其特征在于,包括透明基板,所述透明基板的一面上间隔地设有与所述透明基板的一边相平行的凹槽;

所述透明基板上设有凹槽的一面还形成有单一取向的双折射晶体层;对应所述凹槽处的双折射晶体层能使沿其法线方向入射并透过的线偏振光转变为第一圆偏振光,对应所述凹槽间隔处的双折射晶体层能使沿其法线方向入射并透过的线偏振光转变为第二圆偏振光,所述第一圆偏振光和第二圆偏振光的旋转方向相反。

2.根据权利要求1所述的偏光板,其特征在于,所述双折射晶体层由反应型液晶构成或由四分之一波片相同的材料制成。

3.根据权利要求2所述的偏光板,其特征在于,所述双折射晶体层与所述透明基板之间还有单一取向的配向层。

4.根据权利要求1所述的偏光板,其特征在于,所述双折射晶体层的光轴与所述透明基板的表面平行。

5.根据权利要求1所述的偏光板,其特征在于:

所述凹槽处的双折射晶体层的厚度与待透过光线对应的四分之三波片厚度相同,所述凹槽间隔处的双折射晶体层的厚度与待透过光线对应的四分之一波片厚度相同;或者

位于所述凹槽内的双折射晶体层与所述透明基板的平面相平齐,并且所述凹槽内的双折射晶体层的厚度与待透过光线对应的二分之一波片厚度相同。

6.根据权利要求1所述的偏光板,其特征在于:所述凹槽间隔均匀地设在所述透明基板上,所述凹槽截面为矩形,并且所述凹槽底部与所透明基板的一面向平行。

7.根据权利要求1所述的偏光板,其特征在于,所述凹槽采用光刻工艺、蚀刻工艺、钻铣工艺、或喷砂磨削工艺形成。

8.一种偏光板的制备方法,其特征在于,包括:

(1)在透明基板的一面上形成间隔地设有与所述透明基板的一边相平行的凹槽;

(2)在所述透明基板上形成有凹槽的一面形成单一取向的双折射晶体层;对应所述凹槽处的双折射晶体层能使沿其法线方向入射并透过的线偏振光转变为第一圆偏振光,对应所述凹槽间隔处的双折射晶体层能使沿其法线方向入射并透过的线偏振光转变为第二圆偏振光,所述第一圆偏振光和第二圆偏振光的旋转方向相反。

9.根据权利要求8所述的偏光板的制备方法,其特征在于,所述(1)中形成凹槽的工艺为光刻工艺、蚀刻工艺、钻铣工艺、或喷砂磨削工艺。

10.根据权利要求8所述的偏光板的制备方法,其特征在于,所述双折射晶体层由反应型液晶构成或由四分之一波片相同的材料制成。

11.根据权利要求10所述的偏光板的制备方法,其特征在于,在所述步骤(1)和(2)之间,所述方法还包括:在所述透明基板上形成单一取向的配向层。

12.根据权利要求8所述的偏光板的制备方法,其特征在于,所述双折射晶体层的光轴与所述透明基板的表面平行。

13.根据权利要求8所述的偏光板的制备方法,其特征在于:

所述凹槽处的双折射晶体层的厚度与待透过光线对应的四分之三波片厚度相同,所述凹槽间隔处的双折射晶体层的厚度与待透过光线对应的四分之一波片厚度相同;或者

位于所述凹槽内的双折射晶体层与所述透明基板的平面相平齐,并且所述凹槽内的双折射晶体层的厚度与待透过光线对应的二分之一波片厚度相同。

14.根据权利要求8所述的偏光板的制备方法,其特征在于,所述凹槽间隔均匀地设在所述透明基板上,所述凹槽截面为矩形,并且所述凹槽底部与所透明基板的一面向平行。

15.一种显示设备,包括显示面板和设置在所述显示面板显示面的偏光板,其特征在于,所述偏光板为权利要求1至7中任意一项所述的偏光板。

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