[发明专利]MOS晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管，包括：

半导体衬底；

所述半导体衬底上的栅极结构；

所述栅极结构两侧的半导体衬底表面内的源区和漏区；

所述栅极结构下方的沟道；其特征在于，

所述沟道内靠近漏区的一端具有异质区，所述异质区的介电常数大于沟道内其他区域。

2.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述异质区的晶格常数大于沟道内其他区域。

3.根据权利要求2所述的MOS晶体管，其特征在于，所述异质区和沟道之间形成内建电场，以降低载流子迁移的势垒。

4.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述沟道的材料包括硅，所述异质区的材料包括锗。

5.根据权利要求1-4任一项所述的MOS晶体管，其特征在于，所述栅极结构包括：依次位于沟道上方的栅介质层和栅极，以及栅极两侧的侧墙，所述异质区位于与栅极介质层紧邻的沟道表面内。

6.根据权利要求5所述的MOS晶体管，其特征在于，所述异质区的深度与所述源区和漏区接近。

7.根据权利要求5所述的MOS晶体管，其特征在于，所述栅极与源区和漏区的LDD区有交叠，所述异质区与漏区的LDD区紧邻或相隔。

8.一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有伪栅结构，以及所述伪栅结构两侧的半导体衬底表面内的源区和漏区，其中，源区和漏区之间为沟道，所述伪栅结构包括：伪栅、伪栅介质层和伪栅两侧的栅极侧墙；

去除伪栅以在栅极侧墙内形成栅沟槽；

在所述栅沟槽内形成异质区掩膜层；

以所述异质区掩膜层为遮挡，在所述沟道内形成异质区；

去除异质区掩膜层；

在所述栅沟槽内形成栅极介质层和栅极。

9.根据权利要求8所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述在栅沟槽内形成异质区掩膜层包括以下步骤：

进行第一倾斜沉积，在靠近所述源区的栅沟槽一侧形成第一掩膜区；

进行第二倾斜沉积，在靠近所述漏区的栅沟槽一侧形成第二掩膜区；

反向刻蚀所述第一掩膜区和第二掩膜区分别形成第一栅沟槽侧墙和第二栅沟槽侧墙，以作为异质区掩膜层；

其中，所述第一掩膜区的沉积厚度大于所述第二掩膜区的沉积厚度。

10.根据权利要求9所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，

所述第一掩膜区和第二掩膜区为金属材料，所述第一倾斜沉积和第二倾斜沉积为PVD工艺。

11.根据权利要求9所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二栅沟槽侧墙遮挡所述漏区的LDD区。

12.根据权利要求8至11任一项所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，以所述异质区掩膜层为遮挡在所述沟道内形成异质区包括以下步骤：

刻蚀未被异质区掩膜层遮挡的沟道部分，形成异质区沟槽；

在所述异质区沟槽内形成异质区。

13.根据权利要求12所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，在所述异质区沟槽内形成异质区采用外延生长的方式。

14.根据权利要求8所述的MOS晶体管的制作方法，其特征在于，去除异质区掩膜层之后还包括：对具有异质区的沟道进行阈值电压调制处理。