[发明专利]晶体生长炉无效
| 申请号: | 201010603512.9 | 申请日: | 2010-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN102534809A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
| 发明(设计)人: | 于旭东;盛建明 | 申请(专利权)人: | 江西同人电子材料有限公司 |
| 主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00 |
| 代理公司: | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;熊须远 |
| 地址: | 335000 *** | 国省代码: | 江西;36 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶体生长 | ||
技术领域
本发明涉及晶体生长领域,具体而言涉及一种晶体生长炉。
背景技术
晶体生长中,可靠稳定的温度控制是相当关键的技术问题。现有技术通过在加热体的材质和结构、保温层的保温材料的材质和结构、坩埚的材质和结构、炉体的密封效果等方面的综合指标的协调和改善,优化晶体生长的温度场中的温度梯度区间,提高晶体的生长质量。这些现有技术无论在材质选用还是在结构设计方面,都存在温度控制方面的缺陷,致使晶体生长的质量受到影响,很难获得体积大、应用范围广的蓝宝石晶体。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种晶体生长炉,改善现有技术中蓝宝石晶体生长的热系统,提高蓝宝石晶体的生长质量。
为实现上述目的,本发明提供了一种晶体生长炉,包括炉底、炉体和炉盖,炉底与炉体之间,以及炉盖与炉体之间均以可拆卸方式连接形成炉腔,其中,炉腔内具有坩埚、对坩埚中原料加热的发热体,构成发热体的发热部为围绕所述坩埚设置的金属网。
优选地,编制金属网的金属丝为直径0.3mm的钨丝。
优选地,炉腔中还具有:保温屏,在炉体与金属网之间,围绕金属网并与炉体同轴设置;隔热屏,包括位于坩埚下方的下隔热屏、位于坩埚的坩埚盖上方的上隔热屏;其中,保温屏为金属片与高温陶瓷相间的层状叠加结构,金属片、高温陶瓷沿着炉体从内向外的径向方向依次设置。
优选地,金属片由钨片和/或钼片构成。
优选地,坩埚的材质为钨钼合金,其组分为30%(重量百分比)的钨和70%(重量百分比)的钼。
优选地,坩埚的底部具有支撑坩埚底部的钼管和钨棒,钨棒套设于钼管中并支撑于坩埚的底部中心位置处,其中,钨棒的直径为30mm,钼管的外径为坩埚的外径的2/3~3/4。
优选地,炉底与炉体之间,以及炉盖与炉体之间的连接部位以紫铜密封圈密封。
优选地,炉底具有构成螺旋形冷却循环水路的循环水导流板,炉底的材质为厚度40mm的不锈钢。
优选地,晶体生长炉还包括铜电极,发热部具有与铜电极螺纹连接的钨丝网发热电极。
优选地,晶体生长炉为蓝宝石晶体生长炉。
相比于现有技术,本发明的有益效果在于:
(1)热系统的稳定性提高。本发明中发热体的发热部采用钨丝网编制的网状结构,与现有技术中经常使用的钨棒鸟笼结构以及其他合金的材质相比,由于发热体整体结构均匀不易发生断裂,且高温条件下发热性能稳定,因此具有更加良好的加热效果,能有效提高晶体生长的质量。此外,炉底和炉体之间的可拆卸安装方式,与现有技术的焊接方式相比,更易安装,有利于热部件的准确定位,可保证热系统的对称性。兼之,炉底采用的优质不锈钢板状材质以及其上的循环水路的螺旋线结构,充分保证了炉底的平整度,也有利于提高热系统在工作状态下的稳定性;
(2)保温屏的材质和结构保证了温度场的对称性。本发明的保温屏采用钨片和/或钼片与高温陶瓷相间的层状结构,有效降低了钨片和/或钼片的高温变形的几率,进而,在金属片和陶瓷片的相互作用下,减少了保温屏的整体变形的可能性,提高了温度场的对称性;并且,熔沸点较高的钨、钼材料,可在长期高温下保持对热辐射的反射效果,使得辐射到其上的大部分热量都能反射回去,因而具有很好的保温效果;
(3)密封系统的结构提高了热系统的热效率。本发明在炉底与炉体之间,以及炉盖与炉体之间的连接部位以紫铜密封圈密封,紫铜密封圈的漏率几近于零,与现有技术中的氟橡胶密封圈相比,不仅保证了良好的密封效果,还解决了密封圈材质老化的问题;
(4)坩埚结构提高了热系统的加热效果。本发明坩埚采用钨钼合金,坩埚支撑部件采用钨棒与钼管组合,利用了材质的一致性防止加热过程中发生不良的热传导,并且支撑部件的组合式结构,有效保证了坩埚的水平状态和稳固性。
附图说明
图1是本发明晶体生长炉的正面剖面图;
图2A示意性地示出了炉底的仰视图,示出了冷却水循环水路;
图2B是炉底的剖视图;
图3A是发热体的发热部的正面视图,示出发热部的网状结构;
图3B是发热体的正面剖视图;
图3C是发热体的俯视图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,应理解,下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能解释为对发明的限制。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西同人电子材料有限公司,未经江西同人电子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010603512.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:钟形浮子式疏水器
- 下一篇:CMOS图像传感器及CMOS图像传感电路系统





